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[参考译文] BQ7.693万:bq7.693万均衡FET在短路测试中损坏

Guru**** 2317430 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/583435/bq76930-bq76930-equalization-fets-damaged-during-short-circuit-tests

部件号:BQ7.693万
主题中讨论的其他部件: Tida-0.0449万

在短路测试期间,平衡FET会损坏,这是一个问题。 我们正在使用 CSD1.7484万F4T FET,其33欧姆系列电阻器和5.6V增压器从栅极到源极。

这并不是每次都发生,当它发生时,通常(但并非总是)连接到BT1和BT2的FET。 我们使用的是带有Panasonic NCR1.865万B电池的7S4P电池。

我们的设计类似于 TIA-0.0449万中所示 的bq7.693万和平衡FET的设计。 所有滤波器盖均为220nF,滤波器电阻器均为1K0。 我认为一切都在建议的范围内。

短路电流设置为17.8A,延迟为100微秒。

在每个FET上放置一台电视是否最有可能解决此问题? 如果是,建议使用哪种电流额定值?

感谢您的帮助!

Sheldon

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好,Sheldon,
    很难想象为什么FET会被损坏。 对于损坏的FET,我想到的3件事将超过Vgs (具有齐纳),VDS (对于CSD1.7484万或FET功率为30V)。 由于TIDA-0.0449万上使用的CSD1.3381万的电压限制较低,因此您的设计将被视为更强的设计。 FET将在短路期间打开,因为单元电压降至输入滤波器电压以下,底部FET的下降幅度最小。 您可能需要探查您的系统,以查看短时间内发生的可能导致损坏的情况。 检查以确保齐纳在这些位置有效。 人们不会期望较低的电池单元的感应响应更大,但互连可能会将较低的电池单元电压推至VSS以下,具体取决于VSS的引用位置。
    您关于为FET选择TV的具体问题,您可能需要选择工作电压高于正常电池电压的TV,这样泄漏就会很小。 钳位电压或至少击穿电压应低于FET VDS限值。 进入TVS (和FET)的电流将在钳位过程中受到平衡电阻器的限制