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[参考译文] BQ2.589万H:帮助验证电感器选择和电容器

Guru**** 2318830 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/582641/bq25890h-help-verifying-inductor-selection-and-capacitors

部件号:BQ2.589万H

我只是想确保为我的应用选择了合适的电感器。  我阅读了数据表,进行了数学计算并查看了参考设计BOM。

对于我的应用,规格是:

  • 输入电压3.9V - 14.4V
  • 蓄电池最大充电电流2A
  • 蓄电池最大放电电流4A
  • 最大系统输入电流5A (系统正在运行,蓄电池正在同时充电)。
  • 频率1.5Mhz

如果我选择L为1uH,就像参考设计中的一样,我根据数据表计算得到2.4A的I脉动 ,然后Ibat输出到1/2的I脉动 加上最坏情况下的充电器电流。  我使用5A的电流,所以我说Ibat是6.2A。  数据表IHLP20BZER1R0M11中的电感器具有7A的饱和电流,因此这似乎仍然是一个合适的选择。

这对您是否有意义?

我还试图通过以下方式来理解电容器选择建议。  

降压输入电容器

我假设这个电容器是从Vbus到GND的电容器,数据表建议使用25V,然后讨论Ipmid,在我的计算中,它的电流为2.5A,但这将是一个陶瓷电容,因此纹波在这里不应该是什么大问题。  我假设1uF 25V电容器在这里就足够了吗?

SYS输出电容器

我还是用一些陶瓷,我不知道方程式中的“s squared”是什么,所以我在后面的段落中采纳了建议,使用6V和20uF (实际上可能是40uF或更高)。  我假设这些是电感器之后的电流盖,这些电感器将引导系统。

升压盖

我所看到的升压盖的唯一一件事是参考设计中的0.047uF电容器。  这里是否有一些电压参数可供使用?  参考设计使用25V陶瓷。

PMID容量

数据表建议使用8.2uF至20uF电容器,具体取决于OTG的输出电流。  参考设计使用1000pF,但看起来不支持OTG。  如果我想输入20uF,这里应该使用什么电压?  6伏或6伏以上?

很抱歉提出了很长的请求,感谢您的关注。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好,Eric,

    关于电感器,IHLP2020的Isat = 7A是deltaILpk = 6.2A的好选择。

    关于降压输入和PMID电容器,从技术上讲,PMID电容器是降压输入电容器和OTG升压输出电容器,因为Q1反向阻塞FET。 建议的最小PMID电容为8.2uF陶瓷电容,以最小化输入电压纹波和升压模式输出电压纹波。 为了不违反USB电源规则,VBUS和PMID上的总电容应为<=10uF。 如果您的设备不能通过USB供电,则可以添加更多电容。 VBUS和PMID上的电容越高,降压输入和升压输出电压纹波/稳压在正常操作/瞬变期间的电容就越低。

    对于SYS输出,"s squared"是(2*PI*FSW)^2,其中FSW=1.5HMhz。 SYS的电容越大,意味着输出切换波纹越低,在负载瞬态过程中电压(SYS)下垂越小。 如果您期望较大(>2A)的负载瞬变,则可能需要从最小值20uF增加SYS输出电容。

    关于BTST“自举”电容器,此电容器构成充电泵的1/2,以提供电压来驱动Q1和Q2 NFET。 至少需要为0.047uF,额定电压为16V。

    施加电压时,所有陶瓷电容器都会失去电容,有些电容器在施加接近额定电压时会达到80 %。 因此,我建议您查看电容器数据表,以确认该电容器上预期直流电压下的实际电容值。 如果没有足够的电容可用,您可以添加更多相同的电容器或选择另一个更高的额定电压电容器。
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    谢谢,PMID上限的评级是多少?
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    PMID将看到与VBUS相同的电压。 因此,电容器额定值至少需要为充电器的最大输入电压。 我们通常建议使用25V额定电容器。