[参考译文] CSD1.8531万Q5A：有关MOSFET SOA图形的问题

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

部件号：CSD1.8531万Q5A
主题中讨论的其他部件：CSD1.8533万Q5A，

在CDS1.8531万Q5A和许多其他TI MOSFET的数据表中，最大SOA图形的条件被描述为单脉冲，Rtheta J-C = 1.0 C/W 此图对Rtheta C-A的作用是什么？

是最小值(125C/W)还是1平方英寸的2盎司铜(50C/W)，还是其它值？

我正在尝试为过流保护电路选择N-ch FET，该电路通过在关闭FET之前调节栅极一段延迟时间来夹紧电流。我正在寻找能够在20V Vd-s下处理4A至少10ms的FET。是否有方法可以在不打开每个数据表的情况下了解哪些内容有效？

谢谢！

Jim

0 admin 8 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Jim，

我认为SOA测试是在Min Cu板上完成的，但我需要确认。

但是，对于较短的脉冲持续时间，加热是局部的，因此不受电路板空间的影响。此外，FET线性区域(其中SOA最为重要)发生的热失控是一个完全由硅上的小热点形成的局部事件，因此完全独立于电路板空间。

我不知道在不检查每个部件的SOA的情况下，有什么方法可以检查设备在您的条件下是否正常。 10毫秒内，CSD1.8531万Q5A的显示效果很好(有一定的余量)。下一个器件CSD1.8533万Q5A看起来非常临界，所以我认为您选择了正确的FET，除非您也想看看40V选项。

有关SOA以及我们如何衡量SOA的更多信息，请查看我写的这篇博客：

视频更全面：

电源管理（参考译文帖）(Read Only)