[参考译文] LM3150：电流限制未跳闸

Ryan，

我的感觉是，您应该测量RILIM (Ilim和SW针脚之间)上的电压，而不是Ilim针脚电压-或者我的数据表是错误的吗？

Piotr

Piotr您好！

通过测量RILIM的电压，可通过测量SW节点和Ilim针脚上的电压差来确定。 在这种情况下，它似乎具有更稳定的状态值80mV。

查看内部方框图，除非比较器正极引脚上使用了内部参考电压，否则Ilim处的电压必须为负，才能跳闸电流限制。

您是否有可以在此处发布的当前限制工作示例？

您好Ryan：
让我试着解释一下这个目前的限制是如何运作的。

首先，电流限制是谷流，即三角形输入器电流的底部。 如果电流刚好在随后的接通时间之前超过阈值，它会决定跳过一个周期。 请记住，电感器电流会导致SW节点在关闭时间内为负。 电流限制比较器上没有参考电压，而是离开Ilim引脚的85uA参考电流。 此电流在断开时间内流经Ilim电阻器，而底部FET正在导电。 在所有情况下，SW节点在整个停机时间内为负值。 通过Ilim电阻器的参考电流产生一个正压降，并参考SW节点。 如果在关闭时间结束时，Ilim输入电压仍为负，则比较器将跳闸并跳过一个周期。 这将是发生这种情况的当前条件。 FET最差的RDSon是0.0059 欧姆。 使用数据表第11页上的方程式(6)，您需要根据所选电感器值和接通时间计算波纹电流。 我不知道你们设计的这些价值。 但您的Ilim电阻值的43欧姆值似乎太低。 检查放置在Ilim值上的小数点，您将获得更好的结果。

您好Alan：

感谢您回答我的问题。

我将努力获取其余的设计信息，但使用43欧姆Ilim电阻的原因是尝试强制LM3150进入电流限制，而不是。 此设计的首选Ilim电阻值~1kohm，但由于在极端情况下无法达到跳闸限值，即使应超过电流限值，我们正在Ilim范围内进行测试，测试应在正常操作期间跳闸，我们也是如此 未能做到这一点。

我显然错过了43欧姆电阻值的点...即使如此低的值，也不会跳闸OCL。

很抱歉。 然后我要提出另外两个建议。

A)底部MOSFET的RDSon必须足够高，以便可检测的电压可导致在预期的电流限制级别出现电流限制。

这意味着具有低RDSon值的最佳MOSFET可能会导致电流限制检测问题。

数据表EC表指出，通过外部电阻器的Ilim电流 在整个温度范围内为75至95uA。 需要考虑到这一差异。

B)我认为PCB的布局可能是个问题，因为电流限制的电压检测不是通过底部MOSFET端子进行差分测量，而是相对于LM3150的接地针脚进行测量。

-这可能意味着LM3150的PGND和SGND接地网需要通过宽离散轨迹连接到较低MOSFET的源引脚。 这将减少电流限制功能的电压感应错误。我希望创建一个新的EVM布局来显示此信息，但我希望布局要到下个月才能开始。

您好Alan：

感谢您的回复。 您对低侧FET差分电压测量上的噪声和Ilim偏置电流变化的评论非常有意义。

当涉及到增加RDSon或任何增加损耗或成本以获得更大信号电压的措施时，这些措施绝对只是最后的一项努力。

如果缓冲器，前馈电电容器或纹波注入电路可能会起作用，是否有任何想法？ 我提出这个问题是因为当电流大于电流限制的3倍时，RDSon和偏置电流是LM3150不跳闸的原因。

在发布更新EVM宣传材料之前，您是否有调整后的EVM布局的初步应用说明？