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[参考译文] CSD1.8532万KCS：并行FET CSD1.8532万KCS应用问题

admin
Guru**** 2325560 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/579195/csd18532kcs-parallel-fets-csd18532kcs-application-question

部件号：CSD1.8532万KCS

您好，先生，

我的客户使用我们的CSD1.8532万KCS进行变频器1000W项目。

拓扑结构采用推挽式，具有并行FET。 高端6件/低端6件。
目前存在MOSFET损坏问题，我们发现更改门电阻器可以改善这种现象。为什么？
因为测试三个不同的日期代码，所以只能找到一个通过的日期代码。

对于栅极电阻器，您是否有任何理想的可解释现象，从50欧姆变为10欧姆？ 谢谢！

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    TI__Guru**** 2325560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    温  

    我将您的问题发送给我们的应用程序工程师。 我会告诉您他们要说些什么，但我们可能需要更多信息。  

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    TI__Guru**** 2325560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    翁
    如有怀疑，我们将需要更多信息：

    1. 请提供设计的示意图和布局。
    2. 设备在哪项测试中失败？ (启动，停机，稳态，高温，低温， 瞬态，输入/输出/负载电流…？)
    3. 哪个设备出现故障？ (HS，LS？) 故障率是多少？
    4. 在导致故障的条件下，使用50欧姆和10欧姆栅电阻器提供运行中设备的VGS和VDS波形。