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你好
TI为低RDS N-FET 'CSD1.757万Q5B'发布“非用于切换应用”的具体原因/参数是什么?
此致
Tom
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你好
TI为低RDS N-FET 'CSD1.757万Q5B'发布“非用于切换应用”的具体原因/参数是什么?
此致
Tom
您好Tom,
感谢您对TI FET的关注。 CSD1.757万Q5B专为我所说的静态切换应用(即打开和保持打开)而开发,例如热插拔和OR'ing电路。 对于这种类型的应用,关键参数为低接通电阻,以在FET接通时将传导损耗降至最低。 充电和电容不像设备开关相对较少那样重要。 对于开关模式电源应用,如同步降压转换器或作为SR FET,充电成为更重要的因素,因为它会导致开关损耗和栅极驱动损耗。 还有一种称为CDV/dt感应开启的现象,即VDS变化非常迅速,这可能导致VGS增加,从而在FET本应关闭时开启FET。 为了尽量减少这种影响,将充电比率QgD/Qgs优化为< 1。 对于CSD1.757万Q5B,此比率为34nC/27nC >1,这意味着当此器件用作降压转换器中的同步FET或其它直流-直流转换器中的SR FET时,它容易受到CDV/dt感应开启的影响。 这会导致在同时打开两个FET的情况下进行直通或交叉传导,从而增加功率损耗。 我们不建议将此FET用于开关模式应用,因为性能不会很好。 CSD1.7573万Q5B在6 mm 封装中的最低接通电阻30V FET,其充电比率为11.9nC/17.1nC < 1。
此致,
约翰·华莱士
TI FET应用