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[参考译文] CSD1.6301万Q2：请帮我选择N通道MOSFET

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG1020
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1094939/csd16301q2-please-help-me-choose-a-n-channel-mosfet

部件号：CSD1.6301万Q2
主题中讨论的其他部件：CSD1.7381万F4， LMG1020

只需查看下面所附的图片即可。

我想找到一个合适的N通道MOSFET作为LD的驱动器。

根据规范，此LD的最大电压为1.8V，正常电压为1.2V。

最大工作电流为200mA，最大切换频率为10MHz。

请你给我一些建议吗？

这是一个很好的地方

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    TI__Guru**** 2380860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    吴时您好：

    感谢您对TI FET的关注。 TI尚未对我们的FET进行10MHz切换频率的特性描述。 我所见过的大多数应用程序的最大切换速度高达1MHz。 但是，我已经看到我们的FemtoFET器件用于驱动频率为10 MHz的激光二极管。 我特别推荐CSD1.7381万F4，因为它已用于此类应用。 栅极驱动对于实现快速切换时间至关重要，以确保接通时间和占空比足以从激光二极管产生所需的光线。 您需要使用具有强大驱动电流功能的快速栅极驱动器，如TI的LMG1020。 请记住，MOSFET阈值电压会有所不同，这可能会改变FET的接通时间和占空比。 与阈值电压较高的设备相比，具有较低阈值的设备将迟早打开和关闭，从而提供更长的开机时间。 在设计电路时，您需要考虑这一点。

    此致，

    约翰·华莱士

    TI FET应用

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    TI__Guru**** 2380860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    非常感谢。