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[参考译文] UCC2.895万：电阻值，用于设置OUA/OUTB和OUA/OUTF之间的停机时间

admin
Guru**** 2534260 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC2895

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1096554/ucc28950-resistor-values-to-set-dead-time-between-outa-outb-and-outa-outf

部件号：UCC2.895万

您好，

此接线柱用于计算电阻值，以设置OUT/OUTB和OUc/OUTD以及OUA/OUTF和OUTB/URoute之间的停用时间。

我们参考的文档和Excel设计还有UCC2.7714万-551评估板用户指南(SLUA560C，SLUA560D)，UCC2.895万数据表(SLUSA16D)和Excel设计工具SLUC222D。

1)以上文档中的共振频率计算(在Coss和初级侧系列电感之间形成的储罐)仅包括垫片电感，而忽略了泄漏电感。 它不应该使用LS和L_Lk的总和？


2) C0SS_QA_AVG值估计值为SLUSA16D中引用的SLUP169文档中所详述值的一半。

如果我们使用SLUP169公式C0SS_QA_AVG = 2* C0SS_QA_SPEC * sqrt(VDS_QA/VIN,max)................instead (不使用UCC2.895万数据表和应用手册中使用的系数x2)，我们假设这将获得更好的结果。
SR MOSFET C0SS_AVG计算也存在相同问题。 请提供建议。

3)如果我们使用(1)和(2)中的校正，则计算出的tABSET值会非常不同。 这会导致连接到引脚DELAB，DELCD和Delef的延迟电阻值非常不同。
我们知道评估版的工作方式与预期的12V/600W输出相同。 我们正在请求在使用不同的输出电压功率时计算这些值的指导。

我们正在修改和测试这些板的输出电压和功率，因此非常感谢您对上述项目的反馈。

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    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，

    在方程式40中，方程式40的废液560d在计算SL时包括了泄漏电感。  Excel文件和SLUC222D公式相同。  此信息用于设计UCC2895.06万 W评估模块UCC2.895万EVM-442。   UCC2.7714万-551.https://www.ti.com/lit/an/slua560d/slua560d.pdf的设计已过时

    我相信他们是根据两个串联FET来估计开关节点电容的。  这是HBRIDGE的一半。  FET的总电容 为一半。  SLUP169仅包括1个FET。 请注意，这些只是用于设置初始时间的估计值。  它们不包括绕组间电容，变压器上反射的电容。

    当涉及到设置延迟时间时。  您可以使用估计的开关节点电容LS，Llk来设置初始延迟计时。 然后将电源加载到10 % 并调整延迟以实现山谷切换。  这是SLUA560a建议的方法。  设置好延迟后，您将慢慢打开电源并评估散热和开关节点，以确保一切正常

    此致，

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    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Mike：
    感谢您的回复，并指出UCC2.895万数据表中关于如何设置延迟计时的建议。 请参阅我们对您对我们问题的回答的评论。

    (1) EQN正确。 40的SLUA560D通过泄漏电感值L_Lk降低了垫片电感LS的所需值。
    请参见eqn。 12.6127万，其中共振频率仅使用LS (而不是LS + L_Lk)计算...我们认为这是不正确的。

    如您所述，SLUC222D中存在相同的公式，如果您将L_Lk = 26uH (分配给LS的原始值)设置为LS ~ 0.01uH (接近零)，则fr计算值非常大，导致tABSET的值< 10ns。

    (2)正如您所指出的，方程式126确实使用2x C0SS_QA_AVG，即涉及两个FET的开关节点的总电容。
    请参阅方程式35，其中单个MOSFET的C0SS_QA_AVG计算为C0SS_QA_AVG = C0SS_QA_SPEC * sqrt (VDS_QA/VIN，max)...我们认为这是不正确的，因为它缺少系数x2。

    SLUP169显示的计算方式为C0SS_QA_AVG = 2* C0SS_QA_SPEC * sqrt(VDS_QA/VIN,max)...........我们认为应该是这样。


    我们希望您能就上述两点提供进一步的反馈。

    此致，

    Nitish Agrawal

  • 0
    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好  

    请看下面我的赞扬。

    感谢您的回复，并指出UCC2.895万数据表中关于如何设置延迟计时的建议。 请参阅我们对您对我们问题的回答的评论。

    (1) EQN正确。 40的SLUA560D通过泄漏电感值L_Lk降低了垫片电感LS的所需值。
    请参见eqn。 12.6127万，其中共振频率仅使用LS (而不是LS + L_Lk)计算...我们认为这是不正确的。

    >不包括2 uh和26 uh的Lplk。  在这种情况下，2 uH只会导致在估计的储罐频率中出现大约7.7 % 的错误。

    >我相信你是正确的，需要包括它以获得更准确的结果。  请注意，这仍然只是对储罐频率的估计，开关节点电容也只是一个球驻留估计。

    如您所述，SLUC222D中存在相同的公式，如果您将L_Lk = 26uH (分配给LS的原始值)设置为LS ~ 0.01uH (接近零)，则fr计算值非常大，导致tABSET的值< 10ns。

    (2)正如您所指出的，方程式126确实使用2x C0SS_QA_AVG，即涉及两个FET的开关节点的总电容。
    请参阅方程式35，其中单个MOSFET的C0SS_QA_AVG计算为C0SS_QA_AVG = C0SS_QA_SPEC * sqrt (VDS_QA/VIN，max)...我们认为这是不正确的，因为它缺少系数x2。

    >我相信您是正确的，我会将此错误通知文档团队。

    SLUP169显示的计算方式为C0SS_QA_AVG = 2* C0SS_QA_SPEC * sqrt(VDS_QA/VIN,max)...........我们认为应该是这样。

    >您回答正确

    此致，

    Mike

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    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，Mike：

    感谢您的回复。  请参阅以下我的评论：

    (1) 如果我们的设计中漏电感L_Lk (或Lplk)较高，比如33uH，那么我们不需要额外的垫片电感，即LS ~ 0。  在哪种情况下，共振频率计算会有较大的错误，因为Lplk未包括在内...您是否同意？

    是否有任何不使用单独的垫片电感器，而是使用Lplk作为能量存储元件来帮助ZVS转换的缺点？

    (2) 感谢您确认。

    此致，Nitish

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    TI__Guru**** 2534260 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好，

    1.如果您的泄漏电感足够高，则您是正确的，您不需要垫片电感器。  如果您的泄漏电感较大，您应该将其包括在共振计算中，这是正确的。  

    2.只有在泄漏电感不能提供共振能量以达到ZVS时才需要垫片电感器。  大多数设计都需要它，我会留下一个占位符，以防万一。

    此致，