[参考译文] SM7.2295万：HBB短接到HSB

你好，Jonathan：

请发送您的示意图以供查看。

我还有几个问题来澄清情况

1. VDD可用之前是否观察到VCC弛垂和切屑加热？
2. 是B+ HOB还是HIB或其他？
3. 是在所有主板上的B+处看到10V还是仅在短路的主板上看到10V？

谢谢！

Daniel W

您好Daniel：

原理图与TIDA-0.012万 (PMP7605)文档中给出的原理图相同。  

(红色区域从参考设计修改而来。 在测试环境中，只有MSP 430的引脚24和25用于非板UART通信。)

1. 似乎是这样。 在 提供VDD之前，我们通过在原理图中对J1应用24V电压专门测试了几块板。 有些失败了，有些没有问题。 在没有短路的主板上，VCC是否为10V且VDD是否缺失似乎无关紧要。
2. 抱歉，B+是对原理图的参考，请参阅上文。 如果直流-直流转换器工作正常，在初始测试期间B+将为12伏。  但是，MSP430执行的测试的第一步是检查B+电压和支架(如果过高)。 勾环意味着将所有引脚正确设置为不工作和等待(1)。 MSP430上的启动代码还会检查流经R1和R2的电流是否过低以及是否存在电流不足。 如果存在短路，则通过R2的电流可测量。 因此，PW_L1，PW_L2，PW_H1和PW_H2从未切换为高。
3. 10V仅在带有短路SM7.2295万芯片的主板上的B+处可见。 在工作板上，B+通常浮动至2-5伏之间。 我推测这是由于C3，C9和C8的泄漏电流充电有点多所致。

你好，Jonathan：

测试是在1.中描述的，导致故障还是之后的观察？ 如果是原因，则为驱动器提供了什么电压(即 VCC，输入等)。  

谢谢！

Daniel W

您好Daniel：

您的问题产生了一个我们仍在调查的快速测试。 我们在先后应用VDD和VCC之前和之后测试了HBB和HSB之间的电阻，并发现电阻没有变化。 因此，它表明测试的某些方面导致了故障。  在我们进一步调查此事时请耐心等待。

施加到驱动器的电压为10V VCCA/VCCB，3.3V VDD。 HSA和HSB在测试过程中将会看到大约12伏电压，但在其预期应用中将会达到大约15伏。 SA/SOA大约为12伏。 SIB/SOB，参见24V。 LIA，HIA，HIB和LIB参见3.3V逻辑。 OVS的电压大约为1.7V。

你好，Jonathan：

感谢您的更新。 请告诉我此测试会带来哪些进一步的发现或问题。

谢谢！

Daniel W

您好Daniel：

我想我们已经解决了我们的问题。 我们使用的MOSFET (Infineon ISC027N10NM6ATMA1)似乎 与参考设计(TI CSD1.8532万Q5B)中指定的TI组件稍有不同。 这会导致在部分功能测试期间振铃。 我的猜测是HSB上的瞬态负摆幅超过了HSA/HSB引脚上SM7.2295万的-5V容差。 我猜驱动器之间的>15V是什么会导致HSB对HBB短路？

HOB：

HSB：

因此，它与VCC和VDD的连接顺序无关。

您是否对此处的正确解决方案有任何指导？  我认为这两款MOSFET的数据表非常接近。 TI的SLUA887 https://www.ti.com/lit/an/slua887/slua887.pdf?ts=1650507089213 建议我需要一个更大的，基于Equation 1的扩展的引导电容器，但这些数字对我没有意义。 使用该方程式将为TI MOSFET的44 NC提供~.052 UF，但TIDA-0.012万指定的0.47 UF几乎是该值的10倍。  

我在原型设计中留下了一些TI CSD1.8532万Q5B MOSFET，换用这些MOSFET后，问题就消失了。

采用TI MOSFET的HOB：

采用TI MOSFET的HSB：

我想了解，由于供应链可用性，使用Infineon MOSFET需要进行哪些调整。

你好，Jonathan：

感谢您的详细回复。 我将查看这些信息，并于明天回复您。

谢谢！

Daniel W

您好Daniel：

感谢您的提示。 我将在一两天内测试一下，现在只是忙于处理其他事情。 我会将问题标记为已解决，因为我认为我拥有我需要的东西。 但是，我会让您了解这些范围视图，并希望继续进行一些对话。

谢谢！

乔纳森