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部件号：TPS1663 主题中讨论的其他部件： LM5069， CSD1.9532万Q5B
大家好，
我将TPS1.663万设计为56Vin / 5A (最大)系统中的热插拔IC。 示意图如下所示。
我现在遇到的问题是TPS1.663万将在热插拔测试期间损坏。 (热插拔：先打开外部适配器的交流电源，然后将直流电源接头插入系统)
我添加了RC缓冲器R1382和C1325，以降低热插拔过程中的电压峰值。 我还会进行电路模拟和实验，以优化RC缓冲器值。 然后，我们使用的当前值是2R7 + 1uF/0805 MLCC。 但是，在热插拔测试过程中，eFuse仍有可能损坏。
问题1：既然 数据表中没有集成MOSFET SOA图表，如何检查MOSFET在所有条件下的工作安全性？ (例如，输入热插拔，OCP，SCP，输出短启动等)
问题2：损坏是由热插拔过程中的电压峰值或浪涌电流引起的？ 我可以做些什么来分析它？
问题3：如何增加此应用程序的设计利润？
非常感谢。
Muhsiu。
