[参考译文] TPS2.388万：如何选择MOSFET？

您好，Pierre：

选择   MOSFET时，请确保TPS2.388万的Ilim折回曲线和浪涌折回曲线在SOA曲线内。 谢谢。

此致，

便士

您好，Penny：

感谢您的回复，即使您的建议对我没有帮助。

通过曲线，VDS的最大电流围绕1.25 A，并变为0 V  

要注入PoE，必须关闭晶体管，以便控制栅极。 正如我们所知，由于RDS (接通)，VDS不能为0V。 因此，我必须知道RDS(on) for 1.25 A才能找到SOA。 在CSD1.9538万Q3A上找不到电流的RDS (接通)曲线函数。 如何找到它？

感谢你的帮助

皮埃尔

您好，Pierre：

我不知道我是否理解您的问题。  我认为每个MOSFET只有一个SOA。 例如，CSD1.9538万的SOA低于。  

然后参考TPS2.3881万的折回曲线，确保折回曲线在SOA范围内。 谢谢。

此致，

便士

您好，Penny：

我忘记告诉您我正在使用TPS2.388万评估模块文档。

如图所示：  

晶体管用于闭合VPWR和GND之间的回路，以注射RJ45端口内的电源。 我需要 对 良好的MOSFET进行定性，以确保他的SOA足够。 我在CSD工作以正确理解。  

按照上面的图30和原理图执行此操作：

晶体管打开：ID =0 A ，VDS进入VPWR  

晶体管关闭：IDS = 1.25 A，VDS变为0 V，但由于RDS (打开)，它不是0 V

在我们的情况下，MOSFET的打开位置并不重要，因为没有电流通过晶体管。 我们将分析关闭的职位。  

VDS (MOSFET)= RDS (接通) x ID。 如何在1.25 A中查找ID的RDS(on)？ 仅在第5页的图7中给出了5 A的情况  

根据SOA曲线，使用实际的VDS值，我可以知道1.25 A是否低于或高于RDS线性曲线(灰色)，以确保MOSFET的使用寿命良好。

感谢你的帮助

您好，Penny：

根据TPS2.388万数据表和 CSD1.9538万Q3A数据表的第31页，CSD 只能用于配置2xFBn =0，ALTFBn =0，2xFBn =0，ALTFBn =1

如果FBN = 1，则通过晶体管的电流在漏电= 0V时为1.25 A，因此SOA曲线低于应用  

如图9-3所示，电流为1.25 A，而漏电电流低于1.5 V。这意味着RDS (接通)应在1欧姆左右，但不是， 此处约为60欧姆。

因此，Vd不是0.1 V  

在我看来，CSD1.9538万Q3A 只能用于符合IEE标准的PD，但不能防止部分和全部短路。  

此致，

皮埃尔