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[参考译文] CSD1.7578万Q3A：HBM ESD报告

admin
Guru**** 663810 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1098364/csd17578q3a-hbm-esd-report

部件号：CSD1.7578万Q3A
主题中讨论的其他部件： CSD1.7579万Q3A

您好，  

我想找到替代TPN8R903NL的解决方案，我找到 了CSD1.7578万Q3A这款MOSFET。  

我们想知道 CSD1.7578万Q3A是否能通过HBM ESD >2kV。  

如果没有，请问您的建议是什么？  

谢谢。  

千斤顶

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    TI__Guru**** 663810 points
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    Jack您好！

    感谢您向客户推广TI FET。 CSD1.7578万Q3A是我们推荐的TPN8R903NL交叉线。 TI的电阻较低：在VGS = 10V时，7.3 mΩ Ω 与8.9 mΩ Ω 最大值。 CSD1.7579万Q3A是成本更低，电阻更高(10.2 mΩ Ω)的替代产品。 CSD1.7578万Q3A通过600V CDM和2000V HBM测试。 CSD1.7579万Q3A通过350V CDM和2000V HBM。

    此致，

    约翰·华莱士

    TI FET应用

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    TI__Guru**** 663810 points
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    您好，John：  

    感谢您的回复。  

    是否有针对CSD1.7578万Q3A的HBM ESD报告？  

    千斤顶

  • 0
    TI__Guru**** 663810 points
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    Jack，您好！

    我将向您发送电子邮件回复并关闭此线程。

    谢谢！

    John