[参考译文] LM25117：MOS选择

您好Fred

请与我共享文件。  

—Eric Lee

e2e.ti.com/.../4336.SYNC_2D00_BUCK_2D00_FET_2D00_LOSS_2D00_CALC_5F00_Rev1.xlsm

您好，Eric，

以下是状况和规格， 附件是MOS数据表，

VIN=24，Vout =12，TDC =17A ，500kHz

您会帮我检查 他们是否可以在高侧使用两个平行MOS吗？

此处是否由于栅极电荷过大而导致开关损耗过大(40nC)

 e2e.ti.com/.../PK6A6BA_5F00_SPEC-_2800_004_2900_.pdf?</s>2900

您好Fred

不，您不能使用它。 MOFET栅极驱动电流为60mA (30nC x 4 x 500kHz=60mA)，是30mA VCC电流限制的两倍。  

LM5143是双相降压控制器，设计用于处理高电流/高功率。 它的VCC稳压器可以处理更多电流。 请考虑使用LM5143。  

—Eric Lee

您好，Eric，

1.我认为您显示的公式有一些问题，因为我的Vin是24V>VCC，

因此，VG应该是7.6V而不是4V，驱动电流限制应该是42mA，而不是30mA，这是Vin<VCC时的规格。

对吗？

2. 因为当VG为7.6V时，MOS Qg大约为28nC (参见数据表)

如果我只使用一个MOS (PK6A6BA)，并将频率更改为150kHz (28nCx7.6x150kHz=32mA <42mA)，该怎么办？

 如果我的驱动电流低于最大42mA，我是否可以通过热测试？

请帮助评估，谢谢

您好，Eric，

抱歉，我认为当Vin和VCC低于4V ...时，30mA是情况，事实不是这样。  

1.那么，如果我只在高侧使用一个MOS并将频率降低到一半，则会怎样呢？22.5mA=30nCx3pcsx250KHz < 30mA。

这是否正常？

2.如果驱动电流 高于LM25117 (30mA)的供电电流限制，会发生什么情况？

 您会详细说明内部LDO的情况吗？  这与高侧MOS的热量有何关系？

您好Fred

1.然后，VCC电流限制问题得到解决，但高端MOSFET温度将升高。  

2.如果驱动电流高于VCC电流限制，VCC引脚电压将开始下降，VCC UVLO将被触发，并最终关闭设备。

—Eric Lee    

您好，Eric，

我明白了，谢谢你们的解释。

谈到MOS温度，   

如果250kHz只能在一个高侧MOS条件下避免过热问题，您会帮助评估吗？

 我已上载上面的数据表。  

我 认为 使用其他IC (如LM5143)不会让MOS的热量变得更好，对吗？

您好，Eric，

1.我看到热阻各不相同，但根据数据表提供的现有热阻RJA，您能否帮助评估MOS是否通过热阻？

2.另一个问题是，如果我只使用一个LM5143，MOS的热情况是否与现在相同或更好？

谢谢

此致，

弗雷德

您好Fred  

1.最高环境温度是多少？  

2.LM5143是双通道控制器。  使用LM5143，您自然需要设计两个2相降压，并使用两个高侧MOSFET。 然后，功率损耗将被分为这两个高侧MOSFET。

—Eric Lee

您好，Eric，

感谢您的计算，

我们对MOS进行了如下更改，

RDS_ON现在变为2欧姆。 PDC应该是1/4，约为0.56W

 就PSW而言，Qg也大幅降低，这也降低了tr和TF (不确定确切数字)。

通过我的粗略计算，Tj肯定低于150C

我相信这可以更有信心地通过，您是否会帮助再次检查新的高侧MOS？

非常感谢。

e2e.ti.com/.../1614.SM4032NHKPa4_5F00_SPEC.pdf</s>4032

您好，Eric，

再次感谢您的支持。

结果看起来正常。

最后一个问题是 如何获得1.3 非线性因子以及tr和tf？

你怎么知道tr=10ns？

您好，Eric，

30 % 所说的交流电损失原因是锯齿电流，对吗？