[参考译文] TPS5.4233万：输出3.3V，1A所需的最小输入电压

您好 ，Sreehari

很抱歉耽误你的时间。  

车尾箱盖值的设计与车尾箱UVLO阈值，输入电压和门荷相关联。  当我们选择盖子时，我们应保证在高侧FET开启时间内，车尾箱盖的电压不会降至 车尾箱UVLO以下。 通常 ，我们希望选择启动盖的电压在正常运行期间不会降低1 % 或更低。 我们可以使用Qg=Cboot*Vdrop以绘图方式计算值，但它不能是那么准确(Qg是高侧FET ON所需的栅电荷，Vdrop是为FET充电的启动盖的压降)。 因为我们还应该考虑二极管盖和电感器寄生。

数据表给出了典型应用的值。 但当Vin为低电压时，用于为车尾箱盖充电的内部Vcc低于Vin = 12V时的电压。 另一点是，占空比为3.3 ， 负载为1A (高侧66 % 上的一些压降)，这意味着高侧FET应长时间打开。 这会使应用程序存在触发启动UVLO的风险。  

我曾经遇到过这样的情况：输入电压为5V，输出电压为3.3V，负载电流为数百mA，启动电流为100nF。 在这种情况下，客户遇到引导UVLO问题(缺陷率3 %)。 他们使用TPS5.4332万，它也是28V器件。 但是他们以前没有解决这个问题，因为他们更换了BOM中的某些设备，如二极管。 我在实验室中测试了100nF+47nF的启动盖，但仍然存在问题，我使用了220nF的此应用程序，它可以工作。 为避免此问题，最后，我们建议应用程序使用470nF。

此案例供您参考。

希望这会有所帮助。

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