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[参考译文] TPS5.4233万:输出3.3V,1A所需的最小输入电压

Guru**** 605955 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1093981/tps54233-how-much-minimum-input-voltage-is-required-for-output-3-3v-1a

部件号:TPS5.4233万
主题 :TPS5.4332万中讨论的其他部件

尊敬的各位:

我的设计要求是

输入:5V 和输出 :3.3V,1A

 在我的设计中,我使用TPS5.4233万 来生成输出3.3V,@1A的电压。 输入电压5V是否足以产生3.3V输出? 请找到随附的示意图并提出建议。

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    您好,Sreehari

    原理图看起来不错。 对于应用程序,Vin有点低,但可以正常工作。 风险是车尾箱UVLO,因此我建议使用更高的输入电压,如6V,或者将车尾箱盖值放大至470nF或更大。

    巴西

    Ruby

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    你好,Ruby    

    谢谢您的建议。我有一个小疑问,您是根据什么基础决定启动上限的值为470nF,请您与我分享启动上限的计算详情,以便我能够清楚地理解并进一步了解。

    此致

    Sreehari

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    你(们)好  

    Ruby将在下星期一回复您

    Shuai

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    Ruby,您好!

    请更新。

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    您好 ,Sreehari

    很抱歉耽误你的时间。  

    车尾箱盖值的设计与车尾箱UVLO阈值,输入电压和门荷相关联。  当我们选择盖子时,我们应保证在高侧FET开启时间内,车尾箱盖的电压不会降至 车尾箱UVLO以下。 通常 ,我们希望选择启动盖的电压在正常运行期间不会降低1 % 或更低。 我们可以使用Qg=Cboot*Vdrop以绘图方式计算值,但它不能是那么准确(Qg是高侧FET ON所需的栅电荷,Vdrop是为FET充电的启动盖的压降)。 因为我们还应该考虑二极管盖和电感器寄生。

    数据表给出了典型应用的值。 但当Vin为低电压时,用于为车尾箱盖充电的内部Vcc低于Vin = 12V时的电压。 另一点是,占空比为3.3 , 负载为1A (高侧66 % 上的一些压降),这意味着高侧FET应长时间打开。 这会使应用程序存在触发启动UVLO的风险。  

    我曾经遇到过这样的情况:输入电压为5V,输出电压为3.3V,负载电流为数百mA,启动电流为100nF。 在这种情况下,客户遇到引导UVLO问题(缺陷率3 %)。 他们使用TPS5.4332万,它也是28V器件。 但是他们以前没有解决这个问题,因为他们更换了BOM中的某些设备,如二极管。 我在实验室中测试了100nF+47nF的启动盖,但仍然存在问题,我使用了220nF的此应用程序,它可以工作。 为避免此问题,最后,我们建议应用程序使用470nF。

    此案例供您参考。

    希望这会有所帮助。

    巴西

    Ruby

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    您好,Ruby,

      感谢您的大力支持。

    现在我可以清楚地理解了。

    此致

    SreeHari