在“线程:LM3409”中讨论的其它部件
我看到赛道中的热量比我预期的要多得多。
我目前正在测试55V输入电压,30V输出电压。 我希望> 90 % 效率,但我只看到83。 引脚= 6.7W,输出= 5.6W。
我买了热像仪。 MOSFET正在加热。 在只有200mA输出电流时,MOSFET应具有足够低的RDSON。
通过将LED电压增加到45V (我有一台试验台,我可以选择0到45V的LED电压,以3V为增量),并将输入电压降低到45V,我可以使LM3409进入"压降"模式。 在这种情况下,MOSFET冷却至RDSON角度的预期值。
但是,在转换时,似乎会出现许多意外损失。
我正在寻找如何掌握这方面的建议。
晶体管:已测试CPH3351和SSM3J356R。 CPH比其他的更差。
二极管:US1B
Roff/Coff 27K 470p。
MOSFET DS上的缓冲器电容:100pF。
电感器:"SunItech SLD10D40S331MTT.
V-IADJ:500mV。 配置为500mA电流限制(RSense = 0.5 Ohm)的硬件,当前设置为200mA。 (在接近200mA时测试)。
我可以计算的损耗:200mA * Vsense = 200mA* 0.1 V = 20mW。 ->可接受。 (这应该是占空比的时间。 现在忘记这个了……)
RDSon:330mOhm *.2A *.2A = 13mW ->可接受(再次为占空比)。
二极管:200mA * 0.6V = 120mW ->可接受。 (占空比也会降低)。
电感器200mA * 200mA * 1.09 Ω= 44mW ->可接受。
缓冲器:300kHz *.5 * 100pF * 55V*55V = 45mW ->可接受。
栅电荷:6nC * 300kHz * 55V = 100mW
LM3409启用电流= 2mA * 55V = 110mW (我测量的电流约为1.5mA,而不是数据表中的"典型2")。
所以对于总损失,我得到的不到: 45+44+120+13+20+100+110=452mW。 但这也是开关损耗,我觉得难以量化。
(在“LM3409启用电流”中添加的电流“不公平”。 我使用“所有LM3409s在1/4096工作负荷时启用”作为主板的“起始情况”电流消耗。 因此,此电流不在我的效率计算范围内)。