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[参考译文] UCC2.4612万:低侧与高侧

Guru**** 1807890 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1100277/ucc24612-low-side-vs-high-side

部件号:UCC2.4612万

您好,

使用UCC2.4612万时,低侧和高侧配置之间是否存在明显的性能差异?

此致,

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    您好,Ali:

    无论高侧或低侧配置,SR MOSFET的功耗都相同。 有些人提到,当将SR MOSFET连接为高端配置时,它可以获得更好的EMI/RFI性能。 有趣的是,我还听到一些设计师提到,当他们将SR MOSFET连接为低侧配置时,EMI/RFI较低。  所以很难说哪一个更好,我认为性能仍然基于整个系统设计。   

    因此,由于功耗相同,您可以根据您的经验和系统选择高侧或低侧配置。  

    谢谢。  

    此致,  

    韦斯利  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Wesley:

    非常感谢。  

    此致,