[参考译文] TPS5.3513万：SW和PGND之间的IV特性评估

Ishiwata-san，您好！

曲线轨迹是单独在IC上完成还是连接到其他电路？ 零部件是新的，还是已经处理过？ 曲线轨迹是否以相同的方法完成？ 例如，如果PVIN在外部或内部与PGND短路，则可能会导致所示的特性。 也许他们可以尝试曲线跟踪PGND-PVIN。 这一观察结果是否在这批9B2中的许多装置上一致，还是仅仅是一个装置的观察结果？

您好，ide-san，

感谢您的回复。

曲线轨迹是单独在IC上完成还是连接到其他电路？
 =>在评估板上完成。
    客户表示评估板上的PGND和GND分离。

零部件是新的，还是已经处理过？
 =>这是一个好产品。

曲线轨迹是否以相同的方法完成？ 例如，如果PVIN在外部或内部与PGND短路，则可能会导致所示的特性。 也许他们可以尝试曲线跟踪PGND-PVIN。
 =>以同样的方式完成。
   很抱歉，我无法理解。 您为什么要尝试PGND-PVIN？

这一观察结果是否在这批9B2中的许多装置上一致，还是仅仅是一个装置的观察结果？
 =>只有一个。

此致，
石田

Ishiwata-san，您好！

这可能提供了一个很好的线索-他们正在EVM上执行此测试。 当他们试图拉高SW时，高侧FET主体二极管可能会夹紧SW (假设Vin未通电且Vin旁通盖已填充)。 要了解是否发生这种情况，我们需要在PVIN针脚执行此测试时了解其状况。

我建议PGND-PVIN，因为曲线轨迹似乎表示HS体二极管正向偏压。

您好，ide-san，

我非常感谢你的支持。

很抱歉回复太晚。
当我再次与客户进行检查时，我发现这是仅通过IC进行评估的结果，而没有在评估板上进行验证。
电流是否也仅流经IC中高侧FET的二极管？

此致，
石田

Ishiwata-san，您好！

如果我们在SW-PGND中看到异常，我相信它也会出现在PVIN-PGND曲线跟踪上。 这将让我们知道它是不是高侧FET主体二极管导电。 您能要求客户使用曲线轨迹PVIN-PGND吗？

您好，ide-san，

感谢您的支持。
我理解。 要求客户测量VIN-PGND曲线跟踪。

此致，
石田

您好，ide-san，

我们收到了客户提供的VIN-PGND的测量结果。
结果如下。

没有发现特别的区别。
您如何看待这一结果？

此致，
石田

Ishiwata-san，您好！

感谢您的测量。

如果仅使用IC进行测试，样品9B2的SW-PGND曲线不是我们预期的结果。 我们预计该部件可能会损坏或出现某些功能问题(例如，切换过程中输入电流过高等)。 如果9B2工作正常，没有任何问题，我怀疑测量方法/设备。 不使用曲线追踪器，他们可以尝试使用电流限制的电源，将SW-PGND升高到1V以上，并查看它是否与行为匹配。

您好，ide-san，

我理解。
我会向客户提供您的建议。

感谢您的支持。

此致，
石田

您好，ide-san

我们使用未使用的好样品进行了IV特征评估。

这是单独使用IC进行测量的结果。
测量结果显示了不同的特性，具体取决于样品。

在您之前的评论中，其中一个原因是测量环境因素，
由于我们公司和客户的环境获得了相同的结果，我认为这不取决于测量环境。

您认为这是有缺陷的产品吗？ 如果是，我们会考虑将NG样本发送至TI质量分析。

感谢您在解决问题过程中的合作。

此致，
石田

Ishiwata-san，您好！

请告诉我有关设置的更多信息吗？ 针脚6-9 (SW)是否短接在一起或单独测试每个针脚？ 您使用了哪些引脚作为PGND，或哪些引脚10-14 (PGND)短接在一起？

您好，ide-san

很抱歉我的回复太晚了。
感谢您的支持。

未在短路状态下测量每个端子。
它是每个端子的测量结果。

此致，
石田

Ishiwata-san，您好！

感谢您提供信息。 让我与团队确认一下，我将在下一个星期一与您联系。  

您好，ide-san

感谢您的回复。
我们期待您的回复。
我非常感谢你的支持。

此致，
石田

Ishiwata-san，您好！

请给我们更多时间。 我会随时向您发布最新信息。
您能否确认两台设备的功能都"良好"？ 客户询问的是"出于好奇"吗？

您好，ide-san

这是一款好产品，因为它是从TI发货的产品。
此外，良好的样品未使用。
未使用样品的测量结果显示了不同的静脉输液特性。

感谢您的支持。

此致，
石田

石田水二 

我们正在尝试了解SW节点上的意外象限1 (正电压引脚的吸入电流)泄漏可能来自何处。  我们预计SW节点中不会出现250μA @ 1V的电压。  查找此意外泄漏电流路径的问题之一是SW节点连接到多个内部电路，包括高端驱动器，bootstrap (VBST)电流感应，准时发生器和内部斜坡发生器。  这些电路提供了来自SW的许多潜在泄漏路径，这些路径取决于其他IC引脚和某些内部电路的状态。

我们认为，在这些内部电路中，有一个门在VDD和BP电源断电后仍处于"打开"状态，在某些设备中提供从SW到PGND的泄漏路径，而在其他设备中则不是。  在实际应用中，在VDD和VIN未通电的情况下，高侧FET的主体二极管将提供从SW到VIN的类似二极管泄漏，直到VDD获得足够的电源以将内部电路驱动到已知状态，并确保SW不会在1V偏置时吸收电流。

如果担心从SW到PGND显示250μA @ 1V的器件的功能，我建议将一个器件安装在EVM上并对其进行测试。   如果设备运行异常，或者在禁用转换器时出现异常高的SW泄漏电流，我们可以讨论将设备返回为可能的故障。

供我们参考：

1)有多少台设备被曲线跟踪？

2)每个纸槽中有多少台设备？

Peter James Miller

感谢您的回答。
您将考虑使用EVM进行测试，但这需要一些时间。
客户要求快速响应。
我认为该设备是异常的，因为IV特征结果不同。 你有什么想法？

另外，我不知道，请告诉我。
哪一项是正确的静脉输液特性的结果？

1)有多少台设备被曲线跟踪？
->我们确认的好样本为3个样本。

2)每个纸槽中有多少台设备？
->每个容器是什么意思？ PIN？ 批次？

感谢您的支持。

此致，
石田

石田水二 

1)未通电状态下引脚上的电流电压跟踪之间的差异可能是由于内部电路在其电源循环中处于不同的保留状态，以及所有其他引脚都浮动，而不是异常设备造成的。

2) SW至PGND (所有其他引脚浮动)的预期IV曲线是在0至2.5V SW电压范围内的高阻抗(低泄漏)。 这在上面左侧 的I-V曲线中显示 。  上述右侧I-V曲线显示，在1V时，SW至PGND的泄漏路径约为250μA Ω。  虽然这不是预期的，但可能是由于某些未通电的内部电路的状态保持不变以及设备构造不异常所致。

我对这种混乱的语言表示歉意。

1)在曲线轨迹上测试了多少个TPS5.3513万样本？

2)这些样本中有多少显示了上述曲线轨迹结果？

A)左侧上方，<10μA @+ 2.5V

b)右上方，200μA @+1V

如果客户认为设备异常且不符合标准，您可以填写退料授权请求- https://www.ti.com/productreturns/docs/createReturn.tsp ，但仅根据I-V曲线轨迹，无需应用测试，否则可能不接受退料。

Peter James Miller

感谢您的礼貌回答。
我知道，在未输入电源时，这两种特征都会出现。

当我与客户进行检查时，我发现这是一个已确认可与应用程序配合使用的样本。
我曾经说过这是一种未使用的产品，但这是一个错误。 打扰一下。

我将再次描述一下。 这三个样本是正常工作IC的IV特性评估的结果。

此外，使用检查操作时不能正常工作的样品进行静脉输液特性评估。
结果为样本编号04。 (编号便于理解。)

1)在曲线轨迹上测试了多少个TPS5.3513万样本？
->在应用评估中正常工作的3个IC (编号01 /编号02 /编号03)
其中一个IC在应用评估中不能正常工作(第04号)

2)这些样本中有多少显示了上述曲线轨迹结果？
->曲线轨迹的结果全部显示在上述IC中。

感谢您的支持。

此致，
石田

Peter James Miller

感谢您的回复。

样本1和样本2具有不同的曲线轨迹结果。
曲线轨迹结果本身是否意味着无法区分无缺陷产品和有缺陷产品？

为了进行比较，SAMP 2也可提供与样本4 (有缺陷的产品)具有相同特性的产品，因此我们考虑将NG样本(第4号)和OK样本(第2号)发送至TI质量分析。
你也不这么认为。

我非常感谢你的支持。

此致，
石田

Peter James Miller

感谢您的支持。
我们将在内部讨论回应。

我很感谢

此致，
石田

石田水二 

您能否与客户一起从无法正常工作的应用程序获取问题描述？  这将会更有用。