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[参考译文] TPS4.0061万：低负载时IC温度过高

admin
Guru**** 2502205 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1083155/tps40061-excessive-ic-temperature-at-low-load

部件号：TPS4.0061万

我正在使用TPS4.0061万为5个电池充电器IC BQ2.425万YFFR供电。 输入电源为24V，输出为9V (6.4A时)，以支持蓄电池充电器IC。 系统正在工作，但我担心TPS4.0061万在无负载的高温下工作。 无论它是与系统的其余部分断开连接， 还是连接到BQ22.425万 IC且无负载，它都在80-90°C的温度下运行。 我认为这不正确，所以有人想看看我的原理图，看看它是否有任何错误吗？

e2e.ti.com/.../battchrgrsys_5F00_query.pdf

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    你好，David  

    我找不到任何问题。 请 检查主板上的R63值。 如果在R63处安装了错误的部件，则IC温度可能高于您的预期。  

    Eric Lee (应用工程)

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    非常感谢您的回复Eric。 我会检查一下。

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    感谢您选择TI。 如果您有任何疑问，请随时联系我们。
    －Eric Lee (应用工程)

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    您好，Eric，

    我已经检查了R63的值，可以确认它确实是158Kohm。  

    查看相关轨迹的轨迹并将评估板与我的赛道进行比较非常有趣。 捕获HDRV，SW和LDRV引脚显示，在评估板上，两个外部MOSFET之间的切换时间约为50 - 60ns。 查看我的电路时，LDRV关闭和HDRV打开之间的切换大约为50ns，但是当HDRV关闭且LDRV打开时，延迟约为234ns。 这表明HDRV输出没有有效地驱动PMOSFET。  我已将原来的PMOSFET替换为IS443DN，以减少HDRV引脚上的负载，但TPS4.0061万的温度仍然很高，HDRV到LDRV的切换时间只有轻微的改善。 我们将非常感谢您提出任何进一步的想法或建议。 非常感谢，David。 请注意，对于每个迹线图像，通道1是HDRV输出引脚，通道2是SW引脚，通道3是LDRV引脚。

    e2e.ti.com/.../Eval-Board-Images.zip

    e2e.ti.com/.../BCS_5F00_PSU_5F00_board-images.zip

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    你好，David  

    在BCS_PSU_C波形中，SW电压没有快速下降。  请检查这些项目。  

    1. 高端MOSFET未关闭。 请检查高端MOSFET的平稳电压，必要时更改为较低阈值MOSFET。
    2. 电感器电流太小，无法降低开关。 请检查在负载较重时延迟是否变小。  
    3. SW节点处的电容过大。 请 检查D6。
    4. 高端MOSFET切换速度太慢。 请在R64处填充0欧姆并重新测试。  

    Eric Lee (应用工程)

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    您好，Eric，

    非常感谢您的建议，我会尝试一下。Rgds，David。

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    如果有任何更新，请告知我。  

    －Eric Lee (应用工程)

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    您好，Eric，

    我已经离开了一周，所以我回来后会向你通报最新情况。Rgds，David。

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    我现在不在办公室。 我回来的时候会回复

    —Eric Lee

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    你好
    我要结束这一话题，因为我有一段时间没有听到你的意见。
    如果您仍在尝试解决此问题，请随时打开新线程或重新打开此线程。 谢谢
    －Eric Lee (应用工程)

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    您好，Eric，  

    抱歉，我 在过去几周的大部分时间里都不在。 我取得了一些进展，更换了主要的输出组件，即P通道。 N通道和二极管，小得多。 我发现减小二极管的大小显著改善了波形，但这并没有降低TPS4.0061万器件的运行温度。 我将继续调查。

    Rgds，David。

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    你好，David  

    请在R64处填充0欧姆并重新测试。 当MOSFET温度降低时，IC温度可以一起降低。  

    —Eric Lee

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    您好，Eric，

    非常感谢您的回复。 事实上，我在更换P通道，N通道和二极管组件之前，用0欧姆填充R64，正如你之前所建议的。 我还没有做的是检查P通道MOSFET的平稳电压，我接下来会做。

    此致，David。

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    你好，David  

    如果有热敏图像，请将其分享给我以供参考吗？

    —Eric Lee

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    TI__Guru**** 2502205 points
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    你好
    我要结束这一话题，因为我有一段时间没有听到你的意见。
    如果您仍在尝试解决此问题，请随时打开新线程或重新打开此线程。 谢谢
    －Eric Lee (应用工程)