[参考译文] TPS4.0061万：低负载时IC温度过高

非常感谢您的回复Eric。 我会检查一下。

感谢您选择TI。 如果您有任何疑问，请随时联系我们。
－Eric Lee (应用工程)

您好，Eric，

我已经检查了R63的值，可以确认它确实是158Kohm。  

查看相关轨迹的轨迹并将评估板与我的赛道进行比较非常有趣。 捕获HDRV，SW和LDRV引脚显示，在评估板上，两个外部MOSFET之间的切换时间约为50 - 60ns。 查看我的电路时，LDRV关闭和HDRV打开之间的切换大约为50ns，但是当HDRV关闭且LDRV打开时，延迟约为234ns。 这表明HDRV输出没有有效地驱动PMOSFET。  我已将原来的PMOSFET替换为IS443DN，以减少HDRV引脚上的负载，但TPS4.0061万的温度仍然很高，HDRV到LDRV的切换时间只有轻微的改善。 我们将非常感谢您提出任何进一步的想法或建议。 非常感谢，David。 请注意，对于每个迹线图像，通道1是HDRV输出引脚，通道2是SW引脚，通道3是LDRV引脚。

e2e.ti.com/.../Eval-Board-Images.zip

e2e.ti.com/.../BCS_5F00_PSU_5F00_board-images.zip

你好，David  

在BCS_PSU_C波形中，SW电压没有快速下降。  请检查这些项目。  

1. 高端MOSFET未关闭。 请检查高端MOSFET的平稳电压，必要时更改为较低阈值MOSFET。
2. 电感器电流太小，无法降低开关。 请检查在负载较重时延迟是否变小。  
3. SW节点处的电容过大。 请 检查D6。
4. 高端MOSFET切换速度太慢。 请在R64处填充0欧姆并重新测试。  

Eric Lee (应用工程)

您好，Eric，

非常感谢您的建议，我会尝试一下。Rgds，David。

如果有任何更新，请告知我。  

－Eric Lee (应用工程)

您好，Eric，

我已经离开了一周，所以我回来后会向你通报最新情况。Rgds，David。

我现在不在办公室。 我回来的时候会回复

—Eric Lee

您好，Eric，  

抱歉，我 在过去几周的大部分时间里都不在。 我取得了一些进展，更换了主要的输出组件，即P通道。 N通道和二极管，小得多。 我发现减小二极管的大小显著改善了波形，但这并没有降低TPS4.0061万器件的运行温度。 我将继续调查。

Rgds，David。

你好，David  

请在R64处填充0欧姆并重新测试。 当MOSFET温度降低时，IC温度可以一起降低。  

—Eric Lee

您好，Eric，

非常感谢您的回复。 事实上，我在更换P通道，N通道和二极管组件之前，用0欧姆填充R64，正如你之前所建议的。 我还没有做的是检查P通道MOSFET的平稳电压，我接下来会做。

此致，David。

你好，David  

如果有热敏图像，请将其分享给我以供参考吗？

—Eric Lee