[参考译文] bq2.46万：初始输出电压(电池组上)不稳定。 我必须将VFB拉至接地以稳定输出电压。

您好，

根据布局指南，我的布局审阅如下所示：

1.如果我错了，请更正，但输入功率似乎是通过第2层从主板的中下部分传输到右上部分。 此外，信号在到达输入电容器C12和C13之前直接通过FET。 如果正确，则需要固定输入电源路径。 输入电流需要流经输入电容器，以便在到达切换FET之前可以正确滤波。 此外，请确保正确调整跟踪大小，以便它可以处理您的所有电源要求。

3.电感器未放置在非常靠近 开关MOSFET输出端子的位置。 我们特别声明："尽量减小此轨迹的铜面积，以降低电场和磁场辐射，但使轨迹足够宽，以承载充电电流。 不要为此连接并行使用多个图层。 将此区域到任何其他轨迹或平面的寄生电容降至最低。" 迹线通过导出至底部层，然后再次备份。

4.充电电流感应电阻器可以放置在离电感器输出端子非常近的位置。

5.尽管输出电容器C17和C18放置在靠近感应电阻器的位置，但它们的接地连接沿电路路径穿过C11，然后到达VIA接地端。 我建议使用多个通孔直接连接GND (因为这些是电源接地连接)。  输入电容器C12和C13也是如此。 它们通过一个小轨迹与VIA连接到GND。

7.是的，我建议将电源接地与模拟接地分开，如数据表的布局指南7和图11所示。

9.在三个去耦电容器中，只有一个靠近IC。 VCC电容器C15离引脚非常远。 此外，电容器应该是引脚看到的第一件事。 在这种设计中，引脚看到的第一件事是R15电阻器。 VREF电容器C9也是如此。 在到达去耦电容器之前，ISET和TS电阻分压器电路主动从该引脚中吸取电流。 如前所述，此VREF引脚应看到的第一件事是去耦电容器。 最后，REGN电容器可以移近IC。

此致，

Mike Emanuel

您好，Mike：

非常感谢所有的指导。

非常感谢，

赛义夫。