[参考译文] BQ2.407万：应用ESD时，芯片开始加热，充电状态LED熄灭

您好，

欢迎使用E2E！

ESD在正常运行时不会产生任何后果。Url/charge-state-state-state-state-state-state-status-status-status-state-state-status-state-status-gest-gest-gesd/esd/sge-state-state-state-state-state-state-status-state-state-state-state-state-state-state-state-state-state-state-status-status-gesd/~ sd/sd/sd/sd/sge-state-state-state-state-state-state-state-state-status-  

我有点困惑，当设备被ESD击中时，它是停止充电并开始自我损坏还是没有任何后果？

您有什么想法或建议吗？  [/引述]

您是否能够提供ESD测试的信息？ 如果没有，我无法提供建议  

我在原理图中看到的不同之处在于增加了二极管，以防止 VIN侧出现ESD行为，但不知道ESD是如何应用的。

我们确实有器件的ESD等级，可在数据表中找到。 我在下面附上了一个片段。

此致，

Anthony Pham

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我405.892万我有点充电，是否会因为电子防静电/防静电而造成任何后果？

它会停止为电池充电，但仍会从电源消耗相同的电流。
当让它通电时，它会发热并永久地变得卡座。

您405.892万您是否能够提供有关ESD测试的信息[/ESD]？

是的

我们在ESD枪触点时将ESD应用于IN_5V和IN_GND引脚，电压从2000V至1万V不等。

处于原始原理图状态的设备异常状态从3500V及更远的电压开始出现。

我们认为内部电容器可以充分降低ESD水平，但它不会。 在+5V和GND之间的印刷电路板的不同部件上甚至有一个ESD保护二极管。 仍然不够。

我405.892万我在原理图 中看到的是如何防止ESD / ESD二极管的未知方面的行为的变化的。

ESD应用于D11的IN_5V引脚附近，第二个测试位置靠近BQ2.407万 GND面。

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您好，

根据HBM，该器件的ESD额定电压最高可达+/- 1000 V，CDM的额定电压最高可达+/- 250 V。  

执行这些测试时，ESD是重复应用到同一主板上，还是有多个主板，还是在一个主板上根据需要更换IC？

此致，

Anthony Pham

我们有许多主板在测试中，但每次失败都是一样的。

我们不知道当达到SQ2.407万时ESD有多高。  

嗨  
在昨天的测试中，我们观察到 ESD在高电压(4-8k)下冲击，即使在TSV二极管和变阻器与电源并行的情况下，我们也会看到损坏。  
充电未关闭，但我们测量输入引脚的电阻和电阻。 我们给它一个ESD冲击并检查电阻如果电阻相同，我们增加电压当电阻降低时，我们可以在相同电压水平下施加越来越多的电击，并且每次电压都将进一步降低。 在检查充电电流和总功耗时，我们发现随着输入电阻的降低，损耗会不断增加。  

此致

Torge  

根据我的理解，ESD直径的电容定义了速度。我们使用的是0.05pF A.no.823.1606万A。我认为市场上没有比这更快的。
我将了解一下BQ2.518万。  

您好，Torge，

我会继续研究这个问题，看看我们能否找到解决方案。 如果您还有任何疑问，请告诉我。

此致，

Anthony Pham

我们应用了一些ESD保护，在使用ESD枪进行测量时，该设备现在似乎更加坚固。但我们观察到在插入和拔出时出现类似的行为。 我们使用弹簧加载触点进行充电。 它似乎在某些初始确认时，充电芯片进入与ESD冲击相同的状态。可能触点开始跳动，电源电压短时间下降，这会导致故障。

您好，Torge，

这非常有趣，您是否能够在配置时监控电压波形？

此致，

Anthony Pham