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[参考译文] 增压应用的栅极驱动器选择

Guru**** 2390735 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1100770/gate-driver-selection-for-boost-application

主题中讨论的其他部件:UCC2.7614万UCC2.7531万

尊敬的团队:

对于一个重要的项目,我想请您根据以下收集的要求提供一些附加的门控驱动程序建议。

基本要求:

  • Gatedriver-IC,用于增压应用
  • 无需„Ω 高“隔离电压,仅用于从初级3V3-Gndp直接切换低侧SIC MOSFET (+20V/-3V)
  • 尽可能简单:
    • 无需去饱和模式
    • 由于低侧开关,对清除和爬电没有特殊要求
    • QG_tot在200nC à 范围内,输出电流约为2A至6A

 

很高兴有

  • 可编程UVLO (15-16V SEK)
  • 容差电源电压范围(辅侧25V至-5V)
  • 低传播延迟

请您提出一些建议。

此致,
Brian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Brian,

    感谢您联系我们!

    以下是我为您推荐的两种设备:

    • UCC2.7614万:最新的单通道低侧栅极驱动器  
      • 10A/10A源和汇电流
      • 17.5 ns的典型传播延迟
      • 输入引脚的绝对最大额定值为10V至30V
      • VDD范围高达30V

    对于此器件,我还将附加一个使用UCC2.7614万驱动SiC MOSFET的常见问题解答

    另一个在该应用中工作的低侧驱动器:

    • UCC2.7531万:用于 MOSFET,IGBT和SiCFET的单通道低侧栅极驱动器
      • 2.5A/5A源和汇电流
      • 典型传播延迟为17 ns
      • 输入引脚的绝对最大额定值为-5V至27V
      • VDD范围高达35V

    对于此器件,我将附上一份应用报告,说明如何将UCC2.7531万与SiC MOSFET应用配合使用

    如果您有任何其他问题,请告诉我!

    谢谢!

    Kevin