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[参考译文] LM5170EVM-BIDIR:IOUT1最小测得电流

Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: SFRA

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1098335/lm5170evm-bidir-iout1-minimum-measured-current

部件号:LM5170EVM-BIDIR
主题中讨论的其他部件:SFRA

您好,

我正在将LM5170EVM用于太阳能应用。 我的功率需求是输入电压35 V输出电压40 V和输入电流2.2 A升压操作。 对于MPPT控制,我要从IOUT1感应电感器感应电流最小0.2 A。 评估板使用作为输入电压的电源和 作为开环输出负载的电阻器进行测试,没有基于模拟的外部电压回路补偿器,通道1启用引脚也关闭。 在上述情况下,输出电压将等于二极管正向电压下降时的输入电压。 同样,高侧MOSFET的主体二极管导电,因此电源处于恒定电流源。  

在系统中使用注射电流时,同时监测范围内的IOUT1:

低于0 A -> IOUT1电压230 mV

0 A至0.55 A IOUT1电压230 mV

0.6 A IOUT1电压231 mV

0.7 A IOUT1电压235.7 mV

0.8 A IOUT1电压240 mV

是否有测量/计算0 A至0.55 A之间电流的方法?

谢谢你

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    您好,Jeet:

    感谢您发布信息。 如果您的工作电流仅为2.2A,您需要将电流感应电阻从1mOhm增加到至少20mV,以增加工作信号振幅,使IOUT监视器更加精确。  EMV的1m欧姆电阻器可用于电流高达50A的应用。 在您的应用中,电流感应 信号过低,错误变得更加明显。   更改RCS并使用数据表中给出的相同方程来获取实际的当前信息。

    谢谢!

    有浩

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    你好,Youhao,

    我已将感应电阻从1兆欧更改为5兆欧,以提高系统的IOUT1分辨率。

    此外,在更改之前,我将切换频率设置为160 kHz,使用的电感器为33 uh。  

    ROSC为25千欧,Ramp1为61.9千欧。

    更改感应电阻后,MOSFET的切换频率由160 kHz下降至53 kHz。 请在下面找到附件。  

    通道1 -高侧MOSFET漏极至电源电压

    通道2 -低侧MOSFET漏极至源电压

    通道3 -输入端直流电流

    通道4 -电感器交流电流(由于开关频率降低,纹波电流已增加)  

    在33 uh电感器和1 Mohms感应电阻器的波纹电流低于1 A

    目前,在将感应电阻从1 mohm更改为5 mohm后,波纹电流为3.5 A,因此系统在二极管仿真模式下运行。

    为什么切换频率由于感应电阻器的变化而降低?

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    您好,Jeet:

    RCS对振荡器频率基本上没有影响。  请监控SYNCOUT信号。  如果频率仍为53kHz,则仔细检查您的OSC电阻器。  可能是值错误或焊接问题。   更换为新电阻器。  

    谢谢

    有浩

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    你好,Youhao,

    振荡器频率为SYNCOUT信号158 kHz。 但与上述附件共享时,MOSFET的开关频率为53 kHz,是否有任何其他组件/参数改变MOSFET的开关频率?

    此外,波纹电流3.5 A在50 kHz切换频率下模拟时显示类似的结果。

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    以上共享附件用于不稳定的输出电压。 最近,我测试了转换器的42 V和35 V输入电压的稳定输出电压。 请在下面找到附件。

    通道1 -高侧MOSFET漏极至电源电压

    通道2—输出电压

    通道3 -低侧MOSFET漏极至电源电压

    通道4 -电感器交流电流(由于开关频率降低,纹波电流已增加)  

    波纹电流为2.5 A,切换频率为79 kHz。  

    目前,感应电流电阻器为5兆欧。

    在SYNOUT上看到的振荡器为158 kHz

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    然后,这让我担心您的电路跳过脉冲,因为我们还没有弄清楚原因。  您能否尝试降低负载电流,看看是否仍然如此?   

    还请监控ISETA,COMP1,Comp2以及电感器电流。

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    你好,Youhao,

    早上好  
    关于转换器的使用和结果的描述很少,如上所示。 我正在使用不带模拟电压回路补偿器的转换器,并通过外部微控制器提供控制信号。

    输入电压为35 V

    输出电压为40 V

    我仅使用系统的通道1。

    ISETD占空比为14%,频率为100 kHz

    功率级中使用的电感器为33 uh

    我更新了内部电流回路Ccomp,Rcomp和CHZ。  
    振荡器切换频率k设置为160 kHz

    在输出端,电源通过电子负载与22欧姆的恒定电阻器进行烧结。

    输入电源使用直流电源供电。

    将监测Ccomp1处的电压

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    您好,Jeet:

    测试是否有任何更新?  我认为您的设置不正确。  在目标40V时,您的E-load应处于CV模式,否则您会产生冲突,因为当您的ISETD为14%时,22欧姆将在82V时产生更高的电压,而不是您所需的40V输出电压。   

    谢谢!

    有浩

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    你好,Youhao,

    早上好,

    上周,我成功地在升压模式下运行了DC-DC转换器。 在之前的聊天中讨论的问题解决方案是:

    将电感器更改为33 uh,将感应电阻增加到5 mohms,并将切换频率增加到160 kHz后,内部电流控制回路不稳定。 为了在输入电压范围为10 V至38 V,输出电压为40 V,最小功率为24 W的情况下实现CCM的操作,内部电流控制回路的RC网络进行了更新,以实现更高的带宽和稳定性。  

    目前,驻地协调员网络包括:

    Rcomp 4.7千欧

    Ccomp 47 nF

    CHZ 100 pF

    由于转换器稳定且处于CCM模式,目前我正在努力实施TI的SFRA,以获得内部电流控制回路的闭环响应。  

    我正在使用ISETD (频率100 kHz)作为控制信号,在ISETD中进行小信号注入。  

    据报告出现了一个新问题,随着信号喷射较小而扫描ISETD,我注意到MOSFET漏极至源的振幅降低。

    我附上了一张图片,以便更好地解释

      

    由于SFRA中指定的频率范围内的小信号喷射,控制信号的负载变化相等。 但是,当我观察MOSFET栅源间的负载变化时,我发现负载变化不一致,并随小信号频率的增加而降低。

    我想了解ISETD在实施SFRA方面是否不兼容,我是否应该使用ISETA来实施SFRA。

    如果问题不清楚,请告诉我。

    感谢您的回复。 它确实有帮助。

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    您好,Jeet:

    这可能与ISETD转换为ISETA的延迟时间有关。  内部100k电阻器和ISETA电容器形成低通滤波器,对高频扫描的响应速度可能太慢。   

    我建议您将ISETD接地,并使用两个RC-RC级实现PWM到ISETA的转换,这样您就可以最大限度地减少延迟。

    谢谢!

    有浩