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[参考译文] CSD18540Q5B:MOS 的热特性

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1124967/csd18540q5b-thermal-characteristic-of-mos

器件型号:CSD18540Q5B

您好、TI 成员

在 MOS 的数据表中,我们可以找到热性能信息:

关于 RθJC -结至外壳热阻 , 如何 定义  MOS???的外壳热、顶部外壳或底部外壳

当从 Infineon 检查某些 MOS 时,您 可以找到2  RθJC ,一个是底座,一个是顶盒

' ,我不知道 TI MOS 的内部结构在添加散热器时,应该 从 MOS 的顶部或 底部安装哪一侧 ?

谢谢

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    您好 Robin、

    感谢您的查询。 CSD18540Q5B 数据表中 RθJC 的规格是封装底部的大型散热焊盘(漏极)。 RθJC (顶部)未指定、但通过仿真估算得出的值约为8°C/W 从这个5x6mm SON 封装中去除热量的主要途径是通过散热焊盘并使用焊盘中的散热过孔将热量散发到内层和底层、从而进入 PCB。 顶部散热器可以实现散热、但其有效性将受到通过塑料封装顶部的热阻的限制。 有关 TI 如何测试和规范热阻抗的更多信息、请参阅以下链接中的博客。

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

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    谢谢 John

    我很清楚