您好、TI 成员
在 MOS 的数据表中,我们可以找到热性能信息:
关于 RθJC -结至外壳热阻 , 如何 定义 MOS???的外壳热、顶部外壳或底部外壳
当从 Infineon 检查某些 MOS 时,您 可以找到2 RθJC ,一个是底座,一个是顶盒
' ,我不知道 TI MOS 的内部结构在添加散热器时,应该 从 MOS 的顶部或 底部安装哪一侧 ?
谢谢
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好、TI 成员
在 MOS 的数据表中,我们可以找到热性能信息:
关于 RθJC -结至外壳热阻 , 如何 定义 MOS???的外壳热、顶部外壳或底部外壳
当从 Infineon 检查某些 MOS 时,您 可以找到2 RθJC ,一个是底座,一个是顶盒
' ,我不知道 TI MOS 的内部结构在添加散热器时,应该 从 MOS 的顶部或 底部安装哪一侧 ?
谢谢
您好 Robin、
感谢您的查询。 CSD18540Q5B 数据表中 RθJC 的规格是封装底部的大型散热焊盘(漏极)。 RθJC (顶部)未指定、但通过仿真估算得出的值约为8°C/W 从这个5x6mm SON 封装中去除热量的主要途径是通过散热焊盘并使用焊盘中的散热过孔将热量散发到内层和底层、从而进入 PCB。 顶部散热器可以实现散热、但其有效性将受到通过塑料封装顶部的热阻的限制。 有关 TI 如何测试和规范热阻抗的更多信息、请参阅以下链接中的博客。
此致、
John Wallace
TI FET 应用