[参考译文] LM5145：自适应死区时间原理

admin

Other Parts Discussed in Thread: LM5145, CSD18563Q5A

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1124572/lm5145-principle-of-adaptive-dead-time

器件型号：LM5145
主题中讨论的其他器件： CSD18563Q5A

当我的客户在室温下使用它时、会出现接近击穿的现象、他更担心会在高温下发生击穿。数据表中未介绍自适应死区的原理。我希望问这个原则，以及是否有击穿的危险。我的客户使用了 Infineon 的 MOS、它的典型驱动电压为12-15V、LM5145的驱动输出电压为7.5V。驱动能力不足或上升和下降时间过长是否会影响死区计算？芯片可提供最短死区时间？的时长

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2380000 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Yifan、

FET 的米勒平坦区电压应在3V 至5V 的范围内、以便7.5V 栅极驱动振幅(= Vcc)在开启时提供足够的过驱。当前使用的 FET 是什么？例如、在60V 时、请查看 CSD18563Q5A、这是一款出色的通用 FET。

自适应死区时间的工作原理是在打开另一个 FET 之前监视一个 FET 的 Vgs (反之亦然)。

请为此设计填写 LM5145快速入门计算器并发送审查。

此致、

Tim

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] LM5145：自适应死区时间原理