[参考译文] BQ27Z746：如何在 BQ27Z746中写入闪存

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1123274/bq27z746-how-to-write-to-flash-in-the-bq27z746

器件型号：BQ27Z746
主题中讨论的其他器件： BQSTUDIO

我需要更新 BQ27Z746闪存中的一些值。 (在这种情况下、使用 BQSTUDIO 不是一个选项。) 我注意到 BQ27Z746技术参考手册中的以下陈述：

由于数据闪存的组织结构、更新需要写入由多个数据字节组成的数据块中。例如、更新 Ra 表需要擦除数据闪存的单页并对更新的 Ra 表进行编程。潜在的 I2C 时钟拉伸时间最大为40.8ms。 µs 40ms 页擦除和40 μ s 行编程时间(×2行)。

但是、没有关于页面大小的信息、也没有关于如何擦除页面的信息(如果需要)。

我已经确定可以使用以下代码片段从闪存中读取多个字节。简而言之，我在0x3E (AltManufacturerAccess())写入两字节地址，然后读回 N 字节数据以访问 MACAccess：

def cc_print_flash_test(bus):
    block = cc_read_manufacturers_access(0x4020, 6, bus)
    b1 = block[0] + (block[1] << 8)
    b2 = block[2] + (block[3] << 8)
    b3 = block[4] + (block[5] << 8)
    print("flash test: {}, {}, {}".format(b1, b2, b3))

def cc_read_manufacturers_access(addr, nbytes, bus):
    bus.write_i2c_block_data(BQ27Z746, 0x3e, [addr & 0xff, addr >> 8])
    # returned value is [addr_lo, addr_hi, data_0, data_1 ...]
    block = bus.read_i2c_block_data(BQ27Z746, 0x3e, nbytes + 2)
    return block[2:]  # strip addr_lo addr_hi from response

该代码显示"FLASH test：4525、2300、140"、这是 OVP、UVP 和 OCC 的默认值、因此我认为这是从闪存读取数据的正确方法。

但鉴于"更新需要写入包含多个数据字节的数据块"的要求、我犹豫是否尝试写入、因为我看不到任何有关块大小的已发布信息、因此、我不知道我需要读取/修改/写入多少字节。

欢迎提供指导！

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2540720 points

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更新了：我在第15.2.63节"数据闪存访问() 0x4000-0x5FFF"中找到了以下内容：

只有 AltManufacturerAccess()通过寻址物理地址来支持访问数据闪存(DF)。
要写入 DF、请发送起始地址、后跟 DF 数据块。 DF 数据块是目标数据块
修订了待更新的 DF 数据。 DF 数据块的大小范围为1字节到32字节。所有单个数据
必须以小端字节序发送。

但是、以下代码被剪贴后未更新闪存值：

def cc_read_manufacturers_access(addr, nbytes, bus):
    bus.write_i2c_block_data(BQ27Z746, 0x3e, [addr & 0xff, addr >> 8])
    # returned value is [addr_lo, addr_hi, data_0, data_1 ...]
    block = bus.read_i2c_block_data(BQ27Z746, 0x3e, nbytes + 2)
    return block[2:]  # strip addr_lo addr_hi from response

def cc_write_manufacturers_access(addr, bytes, bus):
    # write data as two byte addr (little endian) followed by data.
    block = [addr & 0xff, addr >> 8] + bytes
    bus.write_i2c_block_data(BQ27Z746, 0x3e, block)

...
    block = cc_read_manufacturers_access(0x46b1, 1, bus)
    print("temperature_enable before = {}".format(block))
    block[0] = 1  # modify temperature enable to 1
    cc_write_manufacturers_access(0x46b1, block, bus)
    block = cc_read_manufacturers_access(0x46b1, 1, bus)
    print("temperature_enable after = {}".format(block))

生成以下结果：TEMP_ENABLE 值从2开始、但未根据需要修改为1：

temperature_enable before = [2]
temperature_enable after = [2]

更新了：我已验证运行状态报告 SEC ="完全访问"、因此闪存应该是可写的。

欢迎您提出建议！

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2540720 points

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您好、Robert、

我随附了一些幻灯片、其中更详细地介绍了如何成功地写入闪存监测计。除了写入 TRM 的数据闪存部分中的内容、您还必须将校验和写入地址60以使写入操作实际有效。我们正在努力更新 TRM 以包含此信息、以避免将来出现进一步的混淆。

e2e.ti.com/.../writing-to-dataflash.pptx

谢谢、

杰克逊

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2540720 points

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您还必须将校验和写入地址60以使写入操作实际有效。

啊！这就说明了这一点(并且很有意义)。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2540720 points

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是的！对 TRM 中有关此主题的指示不明确表示歉意。

请告诉我这是否能够为您服务。

谢谢、

杰克逊

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