[参考译文] LM5109B：IC 不工作

您好！

这里、自举电路似乎不能生成高侧偏置。 通常、当低侧 FET 导通且 SW 节点(VSEC+此处)接地时、自举会将自举电容器(此处为 C1)充电至 VCC 电压。 仅驱动高侧的问题是自举电容器永远不会有充电的机会。 因此、您确实需要一个低侧 FET 来切换 IC 以使其正常工作。

不过、还有一些替代方案。 一种方法是使用浮动电源生成高侧偏置。 另一种方法是使用本 文档中所示的电荷泵。 最后、TI 还有一些其他产品、例如适用于高侧开关的产品：

https://www.ti.com/power-management/power-switches/high-side-switches/overview.html

www.ti.com/.../overview.html

不过、这些都由不同的小组讨论、因此您需要向他们提出任何问题。 最后、我建议将栅极驱动线路上的 TVS /缓冲器电路连接到源端而不是接地端。 由于高侧的所有元件都以顶部 MOSFET/SW 节点的源极为基准、因此应将其视为高侧的接地。  

如果您有任何疑问、请告诉我。

谢谢、

Alex M.

你好，Lidong，

有很多选项和不同的方法可以实现这一目的。 如果您只想使用一个芯片、请查看我链接的电子保险丝/热插拔控制器、并根据您的要求进行排序。 似乎有几个器件可以满足它们的要求(LM5060 或 LM5066 看起来很有希望)。 此外、电池断开文档还介绍了一种使用电荷泵实现此目的的方法、该电荷泵仅需要一些额外的组件、无需 IC。  

最后、我应该已经链接了这个 常见问题解答。 有关隔离式电源、请参阅部分。 这里有一些隔离式直流/直流控制器：

https://www.ti.com/power-management/acdc-isolated-dcdc-switching-regulators/isolated-dcdc-converters-modules/products.html

可用于轻松生成浮动电源。 因此、您可以使用此选项而不是占空比受限的自举。  

最终、 栅极驱动器产品线中没有集成电荷泵来驱动具有100%占空比的高侧开关的 IC。 但是、请考虑其中的一些权变措施或其他产品线的部件。  

谢谢、

Alex M.