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[参考译文] LM5109B:IC 不工作

Guru**** 657930 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5109
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1120708/lm5109b-ic-not-functioning

器件型号:LM5109B
主题中讨论的其他器件:LM5109

我有槽地将您的产品用作我的设计中的高侧 NMOS 开关。

高侧栅极驱动器输出不按数据表中所述工作。 HO 引脚上的电压不会上升到高于 Vin、因此高侧 NMOS 在 HI 引脚上的 PWM 时一直保持部分断开状态。  无论我将 HI 引脚连接到 GND、VCC 还是 PWM、这都是相同的。

为了更好地理解我的设计、我附加了原理图。

请告诉我、如果我发生任何错误、会导致所描述的行为。 您还能告诉我如何对您的 IC 进行故障排除和测试。

其他问题:是否可以将 LM5109用作静态开关、仅在静态电压下驱动 HI 引脚而不是 PWM?

 

注:

D2未放置、BAT+(Vin)为50V、使用一个 NMOS (R2和 R3未放置)和3个 NMOS 进行尝试

布局如数据表中所述、 所有元件都靠近 IC、MOSFET 距离 IC 1-3 cm。

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    您好!

    这里、自举电路似乎不能生成高侧偏置。 通常、当低侧 FET 导通且 SW 节点(VSEC+此处)接地时、自举会将自举电容器(此处为 C1)充电至 VCC 电压。 仅驱动高侧的问题是自举电容器永远不会有充电的机会。 因此、您确实需要一个低侧 FET 来切换 IC 以使其正常工作。

    不过、还有一些替代方案。 一种方法是使用浮动电源生成高侧偏置。 另一种方法是使用本 文档中所示的电荷泵。 最后、TI 还有一些其他产品、例如适用于高侧开关的产品:

    https://www.ti.com/power-management/power-switches/high-side-switches/overview.html

    www.ti.com/.../overview.html

    不过、这些都由不同的小组讨论、因此您需要向他们提出任何问题。 最后、我建议将栅极驱动线路上的 TVS /缓冲器电路连接到源端而不是接地端。 由于高侧的所有元件都以顶部 MOSFET/SW 节点的源极为基准、因此应将其视为高侧的接地。  

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    谢谢、

    Alex M.

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    感谢您的回复、 是否有任何推荐用于60V、150-200A 电源开关的芯片?  

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    你好,Lidong,

    有很多选项和不同的方法可以实现这一目的。 如果您只想使用一个芯片、请查看我链接的电子保险丝/热插拔控制器、并根据您的要求进行排序。 似乎有几个器件可以满足它们的要求(LM5060LM5066 看起来很有希望)。 此外、电池断开文档还介绍了一种使用电荷泵实现此目的的方法、该电荷泵仅需要一些额外的组件、无需 IC。  

    最后、我应该已经链接了这个 常见问题解答。 有关隔离式电源、请参阅部分。 这里有一些隔离式直流/直流控制器:

    https://www.ti.com/power-management/acdc-isolated-dcdc-switching-regulators/isolated-dcdc-converters-modules/products.html

    可用于轻松生成浮动电源。 因此、您可以使用此选项而不是占空比受限的自举。  

    最终、 栅极驱动器产品线中没有集成电荷泵来驱动具有100%占空比的高侧开关的 IC。 但是、请考虑其中的一些权变措施或其他产品线的部件。  

    谢谢、

    Alex M.