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器件型号：LM7480-Q1 主题中讨论的其他器件：LM74800-Q1
本参考设计的参考设计：
本？设计能否通过 ISO7637 1、2a、2b、3a、3b μ m、因为 MOSFET Q2的耐受电压仅为60V、 ISO7637 1、2a、2b、3a、 3B 将测试-150V~-200V 左右的电压。
本参考设计的参考设计：
本？设计能否通过 ISO7637 1、2a、2b、3a、3b μ m、因为 MOSFET Q2的耐受电压仅为60V、 ISO7637 1、2a、2b、3a、 3B 将测试-150V~-200V 左右的电压。
您好 Fabio、
LM74800-Q1共源配置可承受200V 未抑制负载突降的完整电路如下所示。
输入端的 TVS - D4确保 ISO7637 脉冲1被钳位至负电压、该电压处于 LM74800-Q1的绝对最大额定值范围内。 有关 TVS 选择的更多信息、请参阅"11.3V 电池系统的 TVS 选择"部分。
ISO7637脉冲2a 是一个正高电压脉冲、可在50us 内高达112V。 当检测到过压情况时、HGATE 将关闭、之后 额定电压为200V 的 FET Q1将能够承受112V 电压、而不会出现任何问题。在 OV 保护启动之前、 输入+输出大容量电容器将吸收 脉冲能量并帮助钳制输出电压。
ISO7637 脉冲2b 期间的最大输入电压 仅为20V、低于24V 的标称工作电压。 所以、这里没有问题。
脉冲3a 和3b 的幅度似乎更高、但这些脉冲的输入阻抗要高得多(50欧姆)、并且持续时间(150ns)要小得多。 TVS (对于脉冲3a、为负侧)和输入电容(对于脉冲3b、为正侧)可以抑制这些低能量脉冲。
