[参考译文] UCC27201A：最大占空比

尊敬的 Jack：  

您是否在寻找高侧通道上的100%占空比？ 此常见问题解答讨论了100%占空比： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1065284/faq-can-ti-s-non-isolated-half-bridge-drivers-be-used-in-100-duty-cycle-applications

否则、如果您只是在寻找高侧通道的高占空比、但不是100%、那么您在每个周期中可以使高侧通道保持开启的时间将取决于自举电容器在 HB UVLO 以上保持充电的时间。 以下是对自举电容器进行放电的操作：

1. FET Qg 的充电(立即下降，发生在驱动器输出的上升时间)
   • 使用 Q=C*V 时，立即的压降为 V=Q/C，其中：
     • “Q”是 FET 的栅极电荷
     • “C”是自举电容器的电容
     • “V”是由于 FET Qg 充电而导致的自举电容器上的直接压降
2. HB 静态电流(它将在长时间内缓慢地使自举电容器放电)
   • 使用 IT=CV 时、在特定时间间隔内由于 HB 静态电流而产生的压降为 V=IT/C、其中：  
     • “I”是驱动器的 HB 静态电流
     • “T”是电容器放电至“V”电平所需的时间
     • “V”是“T”时间间隔后电容器中的压降
     • “C”是自举电容器的电容

增加1中计算出的立即压降和2中计算出的随时间放电压不应超过 HB 引脚上允许的压降、以确保高侧驱动器保持高于 UVLO。 如果使用栅源极电阻器、这也将为电容器提供放电路径、并且可以使用与 HB 静态电流相同的方法(上面的#2)进行计算。  

此致、

Leslie