[参考译文] BQ24800：充电器电源 MOS 损坏

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1119795/bq24800-charger-power-mos-damaged

器件型号：BQ24800

大家好、

在客户的产品流程中，如果系统有任何 VINT20 MLCC Short。 PQA511易于损坏

在下图中、我们注意到 R3和 C2现在与客户的原理图不同、这些是根本原因吗？

请帮助解释和修改、谢谢

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2534710 points

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Fred、

我有几个问题要问您。对于 VINT20 MLCC 短路、VINT20 MLCC 是对地短路还是对 ACN 短路？

此致、
Edthan Galloway

0 admin 3 年多前

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您好、Edthan、

因为它是裂缝，但这并不重要。

他们只是想知道 R3和 C2的功能是什么？

它们是否可以保留原始值？

请详细说明。谢谢

此致、

Fred

0 admin 3 年多前

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R3和 C2会减慢 Q1和 Q2的"导通时间"和"关断时间"。在 EVM kΩ 图中、R3为4.7 μ F、C2为47nF。通常、我建议尽可能复制 EVM 原理图。我建议为 C2放置更多电容。

客户的电路是否包含 Ri 和 Ci？

0 admin 3 年多前

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您好、Edthan、

为什么 Q1和 Q2的导通和关断需要减慢？

不，我想他们不使用 Ri，Ci。

0 admin 3 年多前

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Q1和 Q2被减慢以阻止浪涌电流损坏 MOSFET。 R3还会阻止 MOSFET 振荡。 C2就是目的。 C2会降低栅极电压变化的速率。

RI 和 CI 可在插入适配器时保护芯片免受电压尖峰的影响。如果客户的应用包括大于15伏的热插拔适配器、我强烈建议包括 Ri 和 Ci。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2534710 points

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感谢您的反馈、

回到主题、如果输出短路、

哪个组件与它相关，并可能防止出现这种大的浪涌短路电流？

0 admin 3 年多前

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RI、CI 和 C2有助于防止大浪涌电流和电压瞬变。

VINT20 是如何短接的？我不太理解在发生短路时、如何有从 DC_IN 到系统的电流路径。

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] BQ24800：充电器电源 MOS 损坏