请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
主题中讨论的其他器件：BQ28Z610
在许多高功率和高电池节数电池应用中、需要减少负载开关 FET 的 Rdson 以减少传导损耗。 实现这一目标的两种主要方法是并行添加更多 FET (请参阅本主题的指南)、或使用 Rdson 值较低的 FET。
这两种解决方案都增加了 FET 的组合栅极电容(CGS)。 因此、真正的问题不是监测计可以驱动多少个 FET、而是它可以以多快的速率驱动什么栅极电容。
使用固定驱动器、并使用以下公式：
I = C * dv/dt
我们知道、使用固定的 I 值时、dv/dt 值将与 C 呈线性反比关系。由于 dv/dt 是固定的、因此我们知道 dt 与 C 成正比。因此、主要问题是上升/下降时间。 请参阅 BQ28Z610数据表的以下部分作为示例：
为4.7nF 的电容指定了上升和下降时间。 根据前面的公式、我们知道、如果所有其他条件都保持相等、并且电容加倍、我们将期望上升和下降时间比指定的时间长一倍。
这里是一些与栅极电容相比的测量下降时间值。 正如预期的那样、它是一种线性关系。 在指定的4.7nF 下、下降时间约为78µs μ s、处于预期范围内。
总而言之、您可以驱动尽可能多的并联 FET。 但是、上升和下降时间以及 FET 导通和关断所需的时间(以及开关损耗)将会增加。 此外、对于非常大的 CGS 负载、您可能需要增加 PBI 电容、以确保 PBI/BAT 电压不会因驱动 FET 而下降。
如果您决定自己测量这些信号、请务必直接在 FET 的栅极上进行测量、并使用差分探头或数学函数来处理浮动基准。
电源培训小程序码
