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[参考译文] TPS549D22：TPS549D22RVFR -发现 X 射线不干净，有空隙

admin
Guru**** 2381850 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS548D22
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1120164/tps549d22-tps549d22rvfr---x-ray-unclean-voids-are-found

器件型号：TPS549D22
主题中讨论的其他器件：TPS548D22

您好！

我们遇到了有关：以下的问题

1. C-scan (芯片表面)：要检查是否存在缺陷、可看到测试样品的空隙。

2.  C-scan (Leadframe)： 要检查是否存在缺陷、 测试样品中不存在缺陷。

3. B 扫描(芯片表面)：要检查 是否存在缺陷、可看到测试样品的空隙

这是否会影响正常使用？

期待您的回复

谢谢你

  • 0
    TI__Guru**** 2381850 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     

    非常感谢您提出这个问题。  图中显示的是 MOSFET 芯片与引线框和夹子之间的焊锡芯片连接中的正常空洞。  这是预期的。

    TPS548D22采用 TI 的 Cl夹 式堆栈 QFN 封装工艺、其中3个单独的芯片可共同封装到单个多芯片模块(MCM)中。  MOSFET 裸片在引线框上"堆叠"、低侧 FET 直接在散热焊盘引线框上。  然后、开关节点夹堆叠在低侧裸片上、接着是高侧裸片、最后是 PVIN 夹。  焊接裸片连接用于将 MOSFET 骰子连接到引线框和夹子。  为了防止焊料"圆顶"、使用的焊料量略小于100%覆盖范围、这会导致每个接口处出现一些空洞。  TI 工厂会监控空洞的总量以及任何单一空洞的最大大小。

    这种小型分布式空洞是典型的、预计在施工过程中会出现。