查找有关此器件的预期 IDS 零栅极泄漏的其他数据、与本文中共享的数据类似:
规格为100nA @ 25°C 且 VDS=24V。
我感兴趣 @ 85°C 且 VDS=2.5V、但会尝试从 您拥有的任何特性数据中进行外推。
谢谢!
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规格为100nA @ 25°C 且 VDS=24V。
我感兴趣 @ 85°C 且 VDS=2.5V、但会尝试从 您拥有的任何特性数据中进行外推。
谢谢!
您好 Brian、
我通过私人消息向您发送了一份图解。 如果您有任何疑问、请查看并告知我。 我还提供了几个指向技术文章的链接、这些文章展示了漏电如何随温度和电压的变化而变化。
此致、
John