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[参考译文] BQ76920：设计 Perry

admin
Guru**** 1860360 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ76920, BQ76920EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1117524/bq76920-design-querry

器件型号：BQ76920

我使用 BQ76920和 Atmega328p 来设计4S BMS、我不确定我们为什么在充电放电 MOSFET 的栅极和源极之间使用1M 欧姆的电阻器。 如果它们是 MOSFET 驱动电阻器、为什么我们使用这么大的值、或者它们是出于其他原因。

下面显示的是我的设计-  

Sheet1

Sheet2

Querry part

我要附上 bq76920evm 数据表的屏幕截图、并将其用于参考目的。

bq76920evm

请尽快为我提供答案。  

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    TI__Guru**** 1860360 points
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    您好、Aditya、

    一旦 AFE 停止通过 CHG/DSG 引脚驱动栅极和 FET 源极之间的电阻器、栅极和源极之间的电阻器将有助于耗尽栅极上的电荷。

    它有助于 FET 更快关断。

    谢谢、
    Caleb

  • 0
    TI__Guru**** 1860360 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Caleb。

  • 0
    TI__Guru**** 1860360 points
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    没问题！

    谢谢、
    Caleb