主题中讨论的其他器件:TLC59711
嗨、大家好、
我有192个高电流 LED (每个 LED 为200mA)、我希望使用该器件进行控制、是否有办法绕过每个电流阱的最大50mA 电流?
例如、让器件控制 FET 并让该 FET 控制 LED? 这是必需的、因为我可能有一个灌电流、它需要点亮几个分别以200mA 和运行的 LED
因此可以轻松达到1A 或更高的电流。
谢谢、
NIR。
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嗨、大家好、
我有192个高电流 LED (每个 LED 为200mA)、我希望使用该器件进行控制、是否有办法绕过每个电流阱的最大50mA 电流?
例如、让器件控制 FET 并让该 FET 控制 LED? 这是必需的、因为我可能有一个灌电流、它需要点亮几个分别以200mA 和运行的 LED
因此可以轻松达到1A 或更高的电流。
谢谢、
NIR。
NIR、您好!
下面是供您参考的原理图草稿。 如果您希望通过输出通道控制 LED、则需要使用2个 NMOS。 当通道关闭时、第1个 NMOS 的栅极被拉高、第1个 NMOS 打开、然后第2个 NMOS 的栅极被下拉、第2个 NMOS 关闭、因此 LED 在输出通道之后关闭。
FET 的选择与您的电流要求和 VLED 电源有关。 我想您可以在 TI.com 中找到许多合适的器件。

您好、Hardy、
非常感谢。 我脑海中出现了几个问题:
1.我是否仍然能够充分使用该器件(即控制192个单独的 LED)、或者当您写"是的、该器件可用作 FET 栅极驱动器"时、您意味着我 将能够使用其18个灌电流输出仅驱动18个 LED?
2.如果我能够充分利用该器件、 是否还需要在其每个 高侧 PMOS 开关输出上添加外部高电流 FET?
3.在漏极开路输出上使用上拉电阻器是否不会使 PWM 信号失真,因为 电阻器将在信号上施加相对较高的上升时间?
谢谢、
NIR。