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[参考译文] TPS54394：设计反馈

admin
Guru**** 2511985 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS54394

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1112949/tps54394-design-feedback

器件型号：TPS54394

您好！

请您就以下设计提供一些反馈。

TPS54394

1V1 @ 3A

1V5 @ 3A

大多数器件的额定值都在原理图上。

L1 & L2 = ABRACON ASPI-6045T-2R2N-T

布局如下：

有些内部层未显示、但它们是实心 GND 覆铜。 我是否应该释放电感器下的 GND 覆铜？ 我看到了相互矛盾的建议。

我拆分了5V 输入、因此它们不共享输入电容器、每个输入都有自己的电容器。 这是一个好主意、还是我应该将其全部倒出来？

我本来希望高频滤波器输入电容器更靠近输入引脚、但它们不会连接到顶部的 GND 覆铜区。 他们在哪里看起来还可以吗？

我对从开关节点到输入电容器下方的电感器的覆铜宽度有点紧张。 但我认为这是最佳的折衷方案吗？ 有什么想法？

非常感谢、

G

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    你(们)好

    Amod 明天会回复您！

    Shuai

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好、Graham、

    原理图对我来说看起来很好。  

    在布局上-

    1.可以像以前一样输入电压也可以全部输入电压。 您是否有单独的 VIN 源？ 您的原理图看起来仅为一个5V 电源。 在任何情况下、在此处添加 VIN1、输出1和输出2始终需要运行。  

    2.需要检查 EVM 在电感器下对接地覆铜做了什么。 您可以遵循相同的操作。

    3.输入电容器的放置对我来说很好，并遵循数据表指导原则。  

    4、我认为 SW 节点连接正常。 这属于以下应用手册中的"特殊注意事项"： https://www.ti.com/lit/an/slyt614/slyt614.pdf#page=3 

    谢谢、

    模块

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好 、

    不是、没有单独的电源、只有一个5V 输入。 我只是试图分离输入电容器。

    设计文件似乎不可用、但用户指南显示了电感器、GND 和输出电压下的两个四分位值。 我不确定这是最伟大的想法吗？

    对于电感器下的 GND 覆铜、TI 的一般建议是什么？ 我知道至少有一家推荐固体覆铜的制造商、但通常的建议是没有覆铜。

    您是否建议添加缓冲器组件？ 这些是否位于布局的底部？ 0402组件是否足以满足这些要求？

    二极管在开关节点上是否是一个好主意？

    非常感谢、

    G

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好、Graham、

    是的、很遗憾、我也无法在 EVM 上找到设计文件。 我在内部讨论了电感器下方的接地覆铜、并始终看到电感器下方使用的接地覆铜。 由于您计划使用屏蔽式电感器、 开关电流产生的磁场将主要包含在电感器封装中。  确实可以在 GND 平面中感应较小的电流、但这些电流是本地涡流、不会影响 GND 平面。 我找到了一篇有关电感器下有接地覆铜的有趣文章： https://resources.altium.com/p/should-ground-be-placed-below-inductors-switching-regulators 

    缓冲电路 可用于通过降低 SW 节点的上升/下降时间来降低电磁干扰(EMI)、除非您需要满足某些 EMI 要求、否则该电路是完全可选的。 使用缓冲器的缺点是 、开关损耗增加会导致效率降低。 如果您选择使用缓冲器 RC、则可以将其放置在顶层。 我没有在开关节点上看到二极管-您是否有一个您希望通过这些二极管解决的特定问题？

    谢谢、

    模块

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好 、

    谢谢、我将通读。

    我在顶层安装了所有 PSU 组件、但我想在底层添加缓冲器部件、我知道这并不理想、但如果我将它们放置在顶层并且不适合它们、则会影响布局。 你有什么想法？

    二极管是此器件评估板上的合适选件、您能否查看一下并告诉我它们的用途以及安装原因？

    谢谢、

    G

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    你(们)好

    Amod 将在下星期一回复您！

    Shuai

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    Shuai 和

    您是否还有其他反馈意见？

    此致、

    G

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好、Graham、

    同意。 如果这些可能是可选组件、则可以将缓冲器放置在底层。 当我刚刚查看它时、EVM 也会执行相同的操作。 由于内部 LSFET 体二极管已存在、因此该二极管也是可选的。 但添加肖特基二极管的 Vf 会低于 LS FET 的体二极管、因此它将通过降低死区时间内的损耗来提高效率。 此外、肖特基二极管具有较低的反向恢复电流(Qrr)、因此它可以在 HS FET 导通时减少 SW 节点上的过冲并提供 QRR。 Qrr 越低、效率也就越高。 同样、缓冲器 RC 和二极管是完全可选的、但可用于帮助满足您可能具有的任何 EMI 要求。

    谢谢、

    模块

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好 、

    感谢您的回复。

    0402器件通常足以满足缓冲器网络的要求吗？ 我知道这些值需要测试、但0402 100nF 16V 和0402 2R2器件是否适合用作至少占位符？

    您能不能建议肖特基二极管所需的额定值、因为评估板文档中没有线索。

    谢谢、

    G

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好、Graham、

    抱歉、我错过了缓冲器尺寸问题。 0402组件可以正常工作。 对于电阻器、您可以计算估算的损耗并选择具有足够额定功率的电阻器。 电阻器的典型范围为1-10欧姆、电容器的范围为100pF-1nF。 但要实际优化此选择、请参阅以下文档 ：e2e.ti.com/.../3660.RC-Snubber.pdf

    肖特基二极管额定电压可以是 VinMax 加上一些缓冲器、因此您可以选择10V 或更高的电压。 额定电流应至少为峰值电感器电流(WEBENCH 中的"IC IPK")加上一定的裕度。 此外、您还可以通过选择具有足够低的正向电压和低反向恢复电荷的二极管来提高效率和过冲。

    希望这对您有所帮助。

    谢谢、

    模块

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    TI__Guru**** 2511985 points
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    您好 、

    非常有帮助、非常感谢。

    G

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    很高兴这对您有所帮助。 如有任何疑问、请随时与我们联系。

    谢谢、

    模块