主题中讨论的其他器件: BQ28Z610
各位专家:
你好。 在该问题上寻求您的帮助。
我们有一个 BQ40Z50RSMT-R1电池组控制器 IC 的新项目。
为了能够模拟由 CHG 和 DSG 两个引脚控制的 MOSFET、我尝试在数据表中找到这两个引脚的电压电平是多少。
查看数据表(SLUSCB3–2015年7月)、在第7.18节中列出了 V (feton)和 V (fetoff)两个电压。 现在看一下导通电压典型值为11.5V、关断电压典型值为0V 左右、我看不到高侧 NMOS-FET 在漏极和源极电压之间在11.5V 电平(明显低于18V)下具有低阻抗。
或者、我是否需要解释要从与0V 不同的基准进行计数的 V (feton)电压? 如果 Vbat 为该基准、那么当18V+11.5V = 29.5V 时、我们将在建议的26V 工作条件下(如第7.3V 节所示)运行。
我只是在该数据表中看到了太多的矛盾、您能帮我理解吗?
此致、
阿尔基·A.



