请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：TPS24701 主题中讨论的其他器件：CSD17581Q3A、 CSD16401Q5、
尊敬的团队：
经过很多实验后、我们发现在 MOS 管的规格内、不管 OCP 值是多少、过流保护触发后、MOS 管会在短时间内得到保护、然后将其分解、 并且 G、D 或 G、GND 之间的间隙增大。 RC 与它无关。
调试过程：将 R Sense 从0.001Ω Ω 更改为0.006Ω Ω、将 OCP 点从25A 降至4.17A。 接通电源、负载 CC 拉电流、缓慢增大至3.9A、触发 OCP 保护、此时电流最大值为4.2A、
4.2A 远小于 MOS 管的规格[MOSFET N 沟道 CSD17581Q3A 30V 60A SON3X3 TI]、但 MOS 管在大约12秒后被细分。 波形如下：
这一问题更为紧迫，许多项目也有类似的问题。 请指导我们了解原因、非常感谢！
非常感谢、
Jimmy
非常感谢、
Jimmy
