[参考译文] LM5176-Q1：LM5176

您好、Shadi、

感谢您使用 E2E 论坛。

您能否 将 D5和 D6替换为正常二极管(而不是肖特基二极管)。

请告诉我这是否已经解决了问题、或者我们是否需要进一步调查。

此致、

 Stefan

感谢 Stefan 的快速回答。

实际上、我已将 D5和 D6替换为"1N4148W-13-F"、但仍然 无法正常工作  

您好、Shadi、

然后、让我们尝试更深入地探究。

电路板是否在无负载的情况下也变得很热？ 并消耗大量电流。

如果此时更加稳定、请检查 LM5176周围的所有信号、并检查其行为和信号电平(不要使用示波器进行探测以查看波形)。

要查看布局：请提供不同图层的图像-目前我无法打开附加的文件。

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

无负载时、输出电压为0.55V 时、电流消耗约120mA、感觉温暖但不热。

您可以在上面解释一下吗？

谢谢

您好、Shadi、

我打算探测 LM5176上的每个引脚并检查其显示的信号。

它是否为预期打开状态？ 描述您在每个引脚上看到的内容。

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

我有更新、

我发现 开关频率电阻值错误、在替换为正确值后、电阻值为3.3K 而不是33K。行为如下所示：

1.如果输入电压为14V 及以上、则电路板在正常电流消耗下工作正常、输出电压稳定为12v (我认为在降压模式下是稳定的)

2.如果输入电压13vV 和低于电路板的电压变得不稳定、输出下降到8V 并且不稳定(我认为它在升压模式下不是稳定的)

如果您有任何想法、请提供建议

我稍后将上传视频

https://we.tl/t-F6L68uuZ97

此链接用于显示问题的视频  

您好、Shadi、

遗憾的是、我们的网络不允许我访问此文件。 您可以制作一些图片并将其附加到此主题。

输出在升压模式下的行为是否取决于负载？

谢谢、

 Stefan

感谢您的支持 Stefan。但我需要紧急帮助、因为这个项目处于边缘。

您好、Shadi、

根据您的原理图、输出应该能够提供非常高的电流(10-12A)、但在这张图片上、您看起来只使用非常轻的负载。 是这样吗？

您能否探测 LM5176周围的一些信号：

- VOUT (直流和交流耦合)

－CSG

－COMP

SW1和 SW2

谢谢、

 Stefan

测试负载约为0.5A 输入14V 输出12v

比较

CSG

SW1

SW2

输出电压  

您好、Shadi、

感谢示波器图-但它们在正常情况下-对吧？ 输出为12V

如果绘制更多图、请将 COMP 缩放到1V/div、对于 CSG、50mV/div 也会更好。

此致、

 Stefan

是的、这种情况适用于降压模式  

但是、我是否应该对升压模式执行该操作？它不起作用？

下面是升压模式9V 输入05A 负载

输出电压

CSG

比较

SW1

SW2

您好 Stefan

有什么想法吗？  

您好、Shadi、

看起来控制器正在重新启动50ms。 原因可能是检测到过流。

要进一步检查、您需要正确测量电流感应电阻器上的信号。

请注意、您应该会看到一个斜坡、开关周期频率为(在您的情况下为250kHz)

可在数据表中找到检测到过流的电平：

此致、

 Stefan

您好 Stefan、

好消息是、电路板在用 新器件型号 CSD17573Q5B 替换 Q7和 Q8 (旧器件型号"CSD17573Q5B")后工作正常 "CSD18532Q5B")、因此所有 5个 MOSFET 具有相同的器件型号

但是、与评估板一样、他们 建议使用 2种型号："CSD17573Q5B"和 "CSD18532Q5B"。

您能解释 一下发生了什么情况吗？

谢谢

您好 Stefan

您好、Shadi、

很抱歉让你久等了。
Stefan 在周四之前不上班。
他一回来就会回到这个话题。
如果您有紧急问题、请告诉我、我也会阅读该主题。

此致、
Niklas

您好 Niklas、

是的、如果您能通过这次对话、这会非常紧急、这将非常好  

谢谢

您好、Shadi、

我仔细看了谈话并比较了两个 MOSFET。
对于降压和升压桥臂、使用不同 MOSFET 模型的原因之一是可以提高效率：
虽然降压桥臂 MOSFET (HDRV1和 LDRV1)必须承受整个输入范围、但升压桥臂 MOSFET (HDRV2和 LDRV2)只需支持输出电压、该电压低于降压-升压拓扑中的峰值输入电压。

 CSD18532Q5B 的最大电压为60V、但也比 CSD17573Q5B 具有更高的 Rds-on 电阻(~3m Ω)、最大电压为30V、Rds-on 为~1m Ω。

正如 Stefan 所说的、问题可能源自过流保护、具有较高导通电阻的两个新 MOSFET 可能会对过流保护产生影响、不再触发过流保护。

Stefan 可能会对 MOSFET 的替代提出其他意见、但现在我可以建议选择新的 MOSFET、因为 除了稍高的电阻值之外、我没有发现任何缺点。

此致、
Niklas

感谢 Niklas 提供宝贵反馈。

我仍在测试电路板稳定性，但仍不消耗最大电流。

您是否认为可以放心地抽10A 电流？

谢谢   

您好、Shadi、

根据规格、 IC 侧的10A 负载应该没有问题。
我仍然建议检查感应电流是否能够支持该负载并且不会进入饱和状态。
如果 IC 检测到过大的过流、应触发过流保护、器件应随时进行大声疾呼、因此器件不会造成伤害。

此致、
Niklas

您好 Niklas 和 Stefan、

希望你们做得好。

现在、电路板工作稳定、 但我对感应电阻器 R1和 R7有一个问题、如评估板数据表中所示、R1为3W、R7为6W、但正如我在实际电路板上发现的那样、焊接电阻器 R1和 R7均为3W。R1和 R7的功率很高、因此可以使用3W 以查找质量数量的6W。

请提供建议？

您好、Shadi、

在 EVM 上、该电阻器并不相同-它们的封装、形状和外观都相同。

另请参阅此电阻器的数据表： https://www.susumu.co.jp/common/pdf/n_catalog_partition19_en.pdf

您实际上需要考虑电阻器看到的平均功率、并根据该功率来确定电阻器的尺寸(加上一些裕量)。

此致、

 Stefan

在您共享的数据表中、有两种2512封装用于3W、4320封装用于6W、它们有何不同？  

另一方面、我如何估算功率交叉 R7？

谢谢

您好、Shadi、

没错、我刚刚再次检查了它、EVM 用户指南上的信息不正确。 有两个相同的电阻器(因此 R7与 R1相同)

在此 EVM 设置中、还可以为 R7使用3W 电阻器。

此致、

 Stefan