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[参考译文] LM5145:有关 FPWM/DCM 模式的问题

Guru**** 2540720 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5145

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1111191/lm5145-questions-about-fpwm-dcm-modes

器件型号:LM5145

您好!  

我是否可以获得您的支持以查看以下有关 LM5145的问题?  

  1. LM5145数据表中描述的 FPWM 是否使用频率转换来使转换器始终以 CCM 运行?
  2. 测试条件(轻负载/高频/重负载)是否会逐渐接近设定的频率点?
  3. 如果使用二极管仿真模式、LM5145将具有 DCM、因此 DCM 和 CCM 开关频率由 RT 设置值设置?
  4. 在这种情况下、DCM 使用低侧 MOS 体二极管作为续流二极管吗?
  5. 在这种情况下、CCM 还将使用低侧 MOS 进行同步整流?
  6. SS/TRK 的跟踪功能是否跟踪主器件以使 LM5145与主器件之间的同步相位?

谢谢、  

插孔

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    尊敬的 Jack:

    1和2。在 FPWM 模式下、FSW 在任何负载条件下都是固定的、电感器电流在轻负载条件下将变为负值、以保持 CCM 运行

    3.是、但如果负载电流过低、Fsw 会降低

    不可以、低侧 FET 将在高侧 FET 关断后导通、如果电感器电流变为负(流入 SW 节点)、低侧 FET 将关断

    5.是的

    6. 目标斜升信号施加在 SS/TRK 引脚上,因此输出将通过跟踪目标信号来斜升,它只影响启动阶段,对开关时钟相位没有影响。

    B R

    Andy

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    谢谢、Andy。  

    还有几个问题需要咨询。  

    1. 关于过流保护、在对保护进行三角接线之后、间隔1 (图1)中是否存在延迟时间?
    2. 如果存在延迟、那么典型的延迟时间是多少?  
    3. 高侧 MOS 的导通时间会因延迟时间而增加? 因为 PWML 的宽度和初始级不一致。
    4. 在延迟时间内、当高侧 MOS 导通时、ILIM 如何看到电流? 根据观察结果、电流会减慢低侧 MOS 而不是高侧。  
    5. 在内部2 (图1)中、当电感器电流降至 ILIM 时、器件将启动占空比并检测谷值电流是否在128个周期内仍超过 ILIM。 如果超过,则设备将进入间断模式,如图2所示。 这是否意味着 SS 不会用于8192个断续模式周期?
    6. 8192周期后会发生什么情况?
    7. 过流保护释放条件是否会停止输出? 还是复位 Vin?  

    谢谢你。  

    图1

    图2.

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    尊敬的 Jack:

    1/2。 间隔1为过载情况、不会触发 OCP、因为谷值电流仍低于 ILIM

    3、COMP 电压的峰值电流控制、因此它将在过载瞬态时跳变高、但钳位增加缓慢、并接管以限制峰值电流

    LM5145不会检测 HS 电流、因为它是电压模式控制、当斜坡(电压模式下的锯齿信号)达到钳位或 COMP 时、HS 关闭、    

    5. SS 引脚在8192个周期内从内部拉低,  

    6. SS 引脚拉低被释放,并在8192个周期后开始充电,以进行正常软启动。

    7、断续 OCP 仅可通过 ILIM 以下的电感器谷值电流释放、降低负载电流、减小电感器尺寸、提高输入电压将有助于减小电感器谷值电流。   

    B R

    Andy

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    感谢您的支持、Andy。