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[参考译文] LM5121-Q1：LM5121效率改进

admin
Guru**** 1565925 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1110497/lm5121-q1-lm5121-efficiency-improvement

器件型号：LM5121-Q1

我们组装了电路板并使用高达10A 的电流进行了测试。 最初、我们的效率低于90%。 移除与高侧 N 沟道 MOSFET 并联的缓冲电路后、效率高达93%。 我们是否有任何方法可以进一步提高效率。

我们需要接近96%的效率

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    TI__Guru**** 1565925 points
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    您好、Ancy、

    感谢您使用 E2E 论坛、您能给我提供您的设计规格和设计原理图吗？ 我很难在没有资料的情况下提出建议。

    谢谢你

    BR、

    Haroon

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    TI__Guru**** 1565925 points
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    我们已将详细信息和原理图分享给 TI 以供审核。 链接如下所示

    LM5121-Q1：敬请查看升压转换器原理图-电源管理论坛-电源管理- TI E2E 支持论坛

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    TI__Guru**** 1565925 points
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    您好、Ancy、

    更改运行模式有助于降低损耗。 您的设计是否可以更改工作模式？

    BR、

    Haroon

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    TI__Guru**** 1565925 points
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    在我们的设计中、MODE 引脚接地

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    TI__Guru**** 1565925 points
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    目前、高侧 MOSFET 处于导通状态、因此它在同步模式下工作。 MODE 引脚接地。 我们将 MOSFET NTMTS0D7N04CTXG 用于高侧和低侧

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    TI__Guru**** 1565925 points
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    您好、Ancy、

    我看到、这意味着您以 DEM 模式运行器件、我相信您可以通过在 SOM 或 FPWM 模式下运行来降低损耗、尤其是在负载电流较高的情况下。 其他建议是增加源极电压也可以降低损耗。  

    关于 FET 开关、使用具有较低 RDS (on)的开关可能是降低损耗的一个主意。

    BR、

    Haroon