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器件型号：LM5121-Q1 我们组装了电路板并使用高达10A 的电流进行了测试。 最初、我们的效率低于90%。 移除与高侧 N 沟道 MOSFET 并联的缓冲电路后、效率高达93%。 我们是否有任何方法可以进一步提高效率。
我们需要接近96%的效率
我们组装了电路板并使用高达10A 的电流进行了测试。 最初、我们的效率低于90%。 移除与高侧 N 沟道 MOSFET 并联的缓冲电路后、效率高达93%。 我们是否有任何方法可以进一步提高效率。
我们需要接近96%的效率
