[参考译文] CSD19536KTT：不寻常的栅极阈值电压要求。

您好 Stephen、

感谢您关注 TI FET。 首先、让我确保我正确解读您的要求。 在 VDS = 10V 且 TA = 25°C 的情况下、VGS 不能超过3.65V、以获得 ID = 200mA、对吧？ 您测试的器件 VGS = 3.35V、以获得 ID = 200mA。

TI 只能保证数据表中指定的内容并在生产中进行测试。 话虽如此、CSD19536KTT 数据表包含阈值电压和导通电阻的规格。 阈值电压是在 VGS = VDS、ID = 250μA μ V 且 TA = 25°C 且 VGS = 2.1V 和 VGS = 3.2V 之间的限值条件下指定和测试的。 在 VGS = 6V、VGS = 10V、ID = 100A 且 TA = 25°C 时指定并测试导通电阻 在阈值和6V 之间的 VGS 值上没有进行规格或测试。 在 ID = 200mA 时也没有任何规格或测试。

数据表的图3中提供了典型的传输曲线。 我上拉了在产品开发期间收集的特性数据、对于已表征的典型器件、VDS = 5V、ID = 200mA、TA = 25°C、VGS = 2.89V。  显然、这在统计上并不重要、也不能得到保证。 您测试的器件具有较高的 VGS 值、可获得 ID = 200mA。 再说一次、我们不知道这是相对于阈值电压的典型高电平还是低电平 FET。 遗憾的是、我没有其他数据可以进一步分析这一点。

您能否共享有关该应用程序的任何其他信息？ 我完全理解您是否不想在这个公开论坛上分享。 如果是、我们可以通过普通电子邮件发送此私人邮件。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

您好、John、感谢您的邀请。 是的、 我想私下继续本次对话。