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[参考译文] BQ25710：有关 BQ25710RSNT BATFET 的问题

admin
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Other Parts Discussed in Thread: BQ25710, CSD25402Q3A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1111361/bq25710-question-on-bq25710rsnt-batfet

器件型号：BQ25710
主题中讨论的其他器件： CSD25402Q3A

您好！

我有一位客户评估 BQ25710的新设计、我们对 BATFET 选择有疑问。

数据表9.4.1.1窄 VDC 架构的系统电压调节部分指出：“BATDRV 引脚只能在 Ciss 低于5nF 的情况下驱动电池 MOSFET。 建议使用1nF~3nF 范围内的 Ciss。" 他们目前正在考虑使用的 P 通道 FET 是 TPN4R712MD、L1Q、其典型 Ciss 为4.3nF、但如果他们考虑器件变化和30%容差、他们可能会期望某些器件的 Ciss 高达5.6nF、超出规格。  您能为我们描述一下当 Ciss 超过5nF 时会发生什么故障吗？  它会导致某些器件发生灾难性故障、还是会导致整个充电器/监控器不符合某些功能或性能指标？

此外、TI 是否有更好的 BATFET 推荐替代器件更适合此插座？

此致、

Matt Calvo

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    您好、Matt、

    除了开关 FET 驱动器、BATDRV 是一个弱源。 如果 Ciss 过大、则可能需要更长的时间才能打开和关闭 BATFET。 因此、它可能无法快速响应某些保护功能、例如电池短路。 请遵循我们 EVM 建议的 BATFET 作为起点。  

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    感谢 Tiger 的反馈！ )

    根据 EVM 用户指南 、他们似乎在 该设计中使用 CSD25402Q3A 作为 BATFET、即设计原理图中的 Q7、因此我们将继续将其用作起点。

    -Matt Calvo

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    您好、Tiger、

    除了电池短路之外、您能否列出所有会受更长开关时间影响的保护特性？ 我们需要评估应用中的所有影响。

    EVM 建议使用不可用的 CSD25402Q3A、因此我们正在考虑替代器件。

    －杜根

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    您好、Tiger、

    您能否提供将受到过多 Ciss 影响的功能的完整列表？  

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    很抱歉、重复一个问题、我在发帖时遇到问题、不得不更改我的电子邮件。

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    任何取决于 BATFET 切换的保护都可能受到影响。

    我建议查找一个与 CSD25402相似的替代器件、在电路中尝试。 您可能会发现我们的充电器具有宽 Ciss 容差。