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[参考译文] LM3429:效率为80%、导通频率低至300kHz 以上

Guru**** 2513185 points
Other Parts Discussed in Thread: LM3429

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1110274/lm3429-efficiency-80-and-low-on-frequency-more-than-300khz

器件型号:LM3429

过热 LM3429和开关 MOSFET 以及系统工作效率高于80%时、我遇到了问题。 最大效率仅在300kHz (Rt=82k)时在更高的频率上、 效率非常低。

拓扑:降压/升压

输入电压:36V

输出电流:0.23A

MOSFET:Sir696DP

电感器:CDRH127/LDNP-680MC Sumida 2.6A

原理图:

拓扑:

普通区域:

电路板:

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    信号上的电压

    感应信号:

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    您好 Ivan、

    您最后一次获得的示波器捕获是原理图中的哪个位置?  我不理解感应...这在 FET 的漏极上是否连接到电感器?  您似乎将电压升至大约55V、这是正确的吗?

    谢谢 Tuan

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    谢谢、Tuan

    1) 1)连接 MOSFET 的 Q1漏极和电感器 L1的最后一个示波器

    2)电感 器的 CDRH127/LDNP-680MC 数据表: products.sumida.com/.../CDRH127LD (en).pdf

    3) 3)是、漏极电感器相邻

    4) 4)是、升压电压为55V

    5) 5)其他变体的原理图:

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    您好 Ivan、

    我对最后一个示波器捕获有问题、它显示为负38V。  电路板上根本不应存在任何负电压。  FET Q1在导通时应显示漏极上的电压接近0V (小正电压)。  这里有一些对我来说毫无意义的错误。

    谢谢 Tuan

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    大家好、Tuan

    抱歉、我在其他设备的帮助下重新测量图表。 振幅测量值必须为 X10、因为我使用10个偏转探头

    1)点 MOSFET Q1漏极和电感器(振幅测量必须为 X10):

    2)点 MOSFET 栅极(振幅测量值必须为 X10):

    3)黄色-点 MOSFET 栅极(振幅测量值必须为 X10)

    蓝色-点栅极和电感器(振幅测量值必须为 X10):

    4)点 LED +交流模式、滤波直流(振幅测量必须为 X10):

    5) 5)黄色-点 LED +交流模式、过滤直流(振幅测量必须为 X10)

    蓝色-点 LED +交流模式、过滤直流(振幅测量必须为 X10):

    6)黄色-点 LED +交流模式、过滤直流(振幅测量必须为 X10)

    蓝色-点栅极和电感器(振幅测量值必须为 X10):

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    您好 Ivan、

    您使用的 FET 是一个125V FET、这是具有更高 Rdson 和栅极电荷的高电压 FET、适用于此55V 设计。  请在  本设计中查找具有较低 Rdson 的75V 或80V FET。  具有较低 Rdson 和较低栅极电荷的较低电压 FET 将提供更好的 IR 损耗和开关损耗。  另一个问题是布局需要有一种方法来将热量从 FET 中排出、否则它会因温度下的 Rdson 增大而升温更多并产生更高的 IR 损耗。

    谢谢 Tuan