过热 LM3429和开关 MOSFET 以及系统工作效率高于80%时、我遇到了问题。 最大效率仅在300kHz (Rt=82k)时在更高的频率上、 效率非常低。
拓扑:降压/升压
输入电压:36V
输出电流:0.23A
MOSFET:Sir696DP
电感器:CDRH127/LDNP-680MC Sumida 2.6A
原理图:

拓扑:

普通区域:

电路板:

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谢谢、Tuan
1) 1)连接 MOSFET 的 Q1漏极和电感器 L1的最后一个示波器
2)电感 器的 CDRH127/LDNP-680MC 数据表: products.sumida.com/.../CDRH127LD (en).pdf
3) 3)是、漏极电感器相邻
4) 4)是、升压电压为55V
5) 5)其他变体的原理图:

大家好、Tuan
抱歉、我在其他设备的帮助下重新测量图表。 振幅测量值必须为 X10、因为我使用10个偏转探头
1)点 MOSFET Q1漏极和电感器(振幅测量必须为 X10):


2)点 MOSFET 栅极(振幅测量值必须为 X10):




3)黄色-点 MOSFET 栅极(振幅测量值必须为 X10)
蓝色-点栅极和电感器(振幅测量值必须为 X10):





4)点 LED +交流模式、滤波直流(振幅测量必须为 X10):



5) 5)黄色-点 LED +交流模式、过滤直流(振幅测量必须为 X10)
蓝色-点 LED +交流模式、过滤直流(振幅测量必须为 X10):

6)黄色-点 LED +交流模式、过滤直流(振幅测量必须为 X10)
蓝色-点栅极和电感器(振幅测量值必须为 X10):

您好 Ivan、
您使用的 FET 是一个125V FET、这是具有更高 Rdson 和栅极电荷的高电压 FET、适用于此55V 设计。 请在 本设计中查找具有较低 Rdson 的75V 或80V FET。 具有较低 Rdson 和较低栅极电荷的较低电压 FET 将提供更好的 IR 损耗和开关损耗。 另一个问题是布局需要有一种方法来将热量从 FET 中排出、否则它会因温度下的 Rdson 增大而升温更多并产生更高的 IR 损耗。
谢谢 Tuan