[参考译文] TPS51116-EP：VDDQ 的软启动时间与 VTT 的软启动时间

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器件型号：TPS51116-EP
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您好！

在 TPS51116数据表中、它表示："在 DDR/DDR2/DDR3/LPDDR3存储器应用中、保持 VDDQ 始终高于 VTT/VTTREF (包括启动和关断)非常重要。"

VDDQ 的软启动时间由所选输出电容控制、如数据表中的公式(2)所示。 VTTREF 和 VTT 的软启动时间由不同的公式(公式(3)决定。因此、VDDQ 可能具有与 VTT/VTTREF 不同(更快或更慢)的启动时间。

但是、如果 VTT 软启动速度快于 VDDQ、是否不会违反上述引用文本、此时 VTT/VTTREF 高于 VDDQ？或者、VDDQ 完成软启动后、VTT/VTTREF 是否软启动。数据表中没有显示 VTT/VTTREF 软启动时间的图与图3类似。图3特定于 VDDQ。

对我来说、VTT/VTTREF 的软启动时间在 VDDQ 完成其软启动时间后开始更有意义、因为 VTT/VTTREF 应该是 VDDQ 的1/2。因此、如果计算出 VTT/VTTREF 的软启动时间快于 VDDQ、则 VTT/VTTREF 无法"提前" VDDQ 输出。

0 admin 3 年多前

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Timothy、

如果您看一下第9页(https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps51116-ep.pdf#page=9)上的功能方框图、您将看到以下显示 VTT 输出信号创建的图像：

VTT 的基准来自信号 HalfVDDQ、因此如果 VDDQ 为0V、那么、除非有其他东西为 VTT 轨供电、否则 VTT 也将为0V。然后、当 VDDQ 开始软启动时、VTT 将自动跟踪一半的 VDDQ、因此在启动期间它将保持低于 VDDQ 的电压。

我认为、如果负载在启动和关断期间尝试将高电流灌入 VTT、可能会出现问题、但如果不是这样、我就看不出何时会出现此问题。

谢谢、

Kadeem

0 admin 3 年多前

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感谢您的回答。这也是我的想法。

为什么 VDDQ 和 VTT 有两种不同的软启动时间？如果 VTT 跟踪 VDDQ 输出、它的软启动时间是否与 VDDQ 相同？

VTT 是否在 VDDQ 完成其软启动时间后软启动？

0 admin 3 年多前

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Timothy、

根据数据表的图31和32、VDDQ 和 VTTREF 的软启动和软停止看起来与时序相同或至少相似：

请注意、第二个图像是软停止、而不是软启动。

现在、从技术角度而言、这些软启动时间也取决于这些电源轨的输出电容、其中更大的输出电容需要更长的充电时间、根据您所引用的公式、可以计算得出：

由于 VTT 以 VDDQ 的1/2为基准、VTT 启动的最快速度是 VTTREF 和 VDDQ 启动的速率、但实际上可能会稍长、具体取决于 VTT 引脚上电容的一侧。

谢谢、

Kadeem

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