[参考译文] LM5109B：使用 TI 模型的 SPICE 仿真无法计算

以下是 TI 的模型：

*美元
* LM5109B
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*(C)版权所有2016 Texas Instruments Incorporated。 保留所有权利。
(小部分
**此模型旨在为德州仪器(TI)的客户提供帮助。
** TI 及其许可人和供应商不作任何明示或默示的保证
**或隐含的，关于本模型，包括的保证
**用于特定目的的适销性或适销性。 是的
**仅以"按原样"提供。 其质量的全部风险
**且性能与客户有关。
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*
**发布者：德州仪器(TI)公司 WEBENCH 设计中心
*部件：LM5109B
*日期：2016年3月8日
*模型类型：瞬态
*仿真器：PSpice
*仿真器版本：16.2.0.P001
* EVM 订单号：NA
* EVM 用户指南：不适用
*数据表：SNVS477CFEBRUARY 2007REVISED 2016年1月
*
*型号版本：最终版本1.00
*
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*更新：
*
*最终1.00版
*发布到 Web
*
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*型号使用说明：
*
* A.特征已建模
* 1. 输出时序特性
* 2. 用于高侧和低侧驱动器的 UVLO
* 3. VDD = VHB = 12V 时的峰值拉电流和灌电流
* 4. HI、LI 输入阈值与 VDD 电源电压间的关系
*
* B.特征尚未建模
* 1. 静态电流与电源电压间的关系
* 2. 与温度相关的特性
* 3. 频率相关图
*
(小部分
.SUBCKT LM5109B_TRANS VDD HI LI VSS HB HO HS LO
C_U3A_C1 U3A_N16789866 HB 5p
C_U3A_C3 HO U3A_N16789866 10p
E_U3A_E1 U3A_N16790231 HO 值｛if (V (GATE _HD、0)> 0.5、5、-5)｝
R_U3A_R1 U3A_N16790231 U3A_N16789866 151
M_U3A_M2 HS U3A_N08192 HO PMOS01
X_U3A_U10 HS HO d_D1
R_U3A_R2 U3A_N16789868 U3A_N08192 150
C_U3A_C2 HS U3A_N08192 5p
X_U3A_U9 HO HB d_D1
C_U3A_C5 HO HB 10pF
C_U3A_C6 HO U3A_N08192 10p
C_U3A_C4 HS HO 10pF
M_U3A_M1 HB U3A_N16789866 HO NMOS01
E_U3A_E2 HO U3A_N16789868值｛if (V (GATE _HD、0)> 0.5、-5、5)｝
X_U1 VDD_INT VDD_TH VDD_UVLO COMP_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=0.5
C_U3B_C1 U3B_N16789866 VDD 5p
C_U3B_C3 LO U3B_N16789866 10p
E_U3B_E1 U3B_N16790231 LO 值｛if (V (GATE _LD、0)> 0.5、5、-5)｝
R_U3B_R1 U3B_N16790231 U3B_N16789866 151
M_U3B_M2 VSS U3B_N16789871 LO LO PMOS01
X_U3B_U10 VSS LO d_D1
R_U3B_R2 U3B_N16789868 U3B_N16789871 150
C_U3B_C2 VSS U3B_N16789871 5p
X_U3B_U9 LO VDD d_D1
C_U3B_C5 LO VDD 10pF
C_U3B_C6 LO U3B_N16789871 10p
C_U3B_C4 VSS LO 10pF
M_U3B_M1 VDD U3B_N16789866 LO NMOS01
E_U3B_E2 LO U3B_N16789868值｛if (V (GATE _LD、0)> 0.5、-5、5)｝
E_E2 VDD_INT 0 VDD VSS 1
E_ABM1 VDD_TH 0值｛if (V (VDD_UVLO)< 0.5、6.7、6.2)｝
C_U7_C1 U7_N14683769 0 1n IC=0
X_U7_U46 GATE _LD N18200399 U7_N14683159 NOR2_BASE_GEN 参数：VDD=1
+ VSS=0 VTHRESH=500E-3
X_U7_U43 U7_N14683769 GATE _LD BUF_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=0.5
X_U7_U48 U7_N147032561 U7_N14683769 d_D1
V_U7_V6 U7_N147032561 0 80m
X_U7_S2 U7_N14683147 0 U7_N14683887 U7_N14683769 TON_TOFF_U7_S2
G_U7_ABM2I1 U7_N14683173 U7_N14683769值｛if (V (N18200399)> 0.5、
+ 22.8m、0)｝
X_U7_U44 N18200399 GATE _LD U7_N14683147和2_BASE_GEN 参数：VDD=1
+ VSS=0 VTHRESH=500E-3
G_U7_ABM2I2 U7_N14683769 0值｛if (V (N18200399)< 0.5、26.5m、0)
+｝
V_U7_V4 U7_N14683887 0 1Vdc
X_U7_S1 U7_N14683159 0 U7_N14683769 0 TON_TOFF_U7_S1
V_U7_V5 U7_N14683173 0 1Vdc
X_U7_U47 U7_N14683769 U7_N14683173 d_D1
X_U17 N18187886 N18187850 N18200399 N18208809 srlathp_basic_gen
+参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
X_U5_U5 LI U5_THRISE U5_HYS N18187886 COMPHYS_BASE_GEN 参数：VDD=1
+ VSS=0 VTHRESH=0.5
R_U5_Rin LI VSS 200k
E_U5_E1 U5_THRISE VSS 表｛V (VDD、VSS)｝
(8、1.861)(9、1.87)(10、1.878)(11、1.886)(12、1.895)(13、1.899)(14、1.908)
(15、1.913)(16、1.915))
E_U5_E2 U5_HYS VSS 表｛V (VDD、VSS)｝
(8、53米)(9、51米)(10、48米)(11、49米)(12、51米)(13、49米)(14、52米)(15、50米)(16、47米))
X_U33 N18188010 N18187855 N187850 OR2_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=500E-3
X_U15 VDD_UVLO N18188010 INV_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=500E-3
X_U13 N18187886 N18187855 INV_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=500E-3
X_U16 N18187973 N18187939 N18203660 N18187960 srlathp_basic_gen
+参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
R_RSS 0 VSS 1 Tc=0、0
X_U12 N18187973 N18187942 INV_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=500E-3
X_U1_U5 HI U1_THRISE U1_HYS N18187973 COMPHYS_BASE_GEN 参数：VDD=1
+ VSS=0 VTHRESH=0.5
R_U1_Rin 高 VSS 200k
E_U1_E1 U1_THRISE VSS 表｛V (VDD、VSS)｝
(8、1.861)(9、1.87)(10、1.878)(11、1.886)(12、1.895)(13、1.899)(14、1.908)
(15、1.913)(16、1.915))
E_U1_E2 U1_HYS VSS 表｛V (VDD、VSS)｝
(8、53米)(9、51米)(10、48米)(11、49米)(12、51米)(13、49米)(14、52米)(15、50米)(16、47米))
X_U34 VDD_UVLO VHBHS_UVLO UVLO NAND2_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=500E-3
X_U6 Hb_INT Hb_TH VHBHS_UVLO COMP_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=0.5
X_U32 UVLO N18187942 N18187939 OR2_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=500E-3
C_U2_C1 U2_N14683769 0 1n IC=0
X_U2_U46 GATE _HD N18203660 U2_N14683159 NOR2_BASE_GEN 参数：VDD=1
+ VSS=0 VTHRESH=500E-3
X_U2_U43 U2_N14683769 GATE _HD BUF_BASE_GEN 参数：VDD=1 VSS=0
+ VTHRESH=0.5
X_U2_U48 U2_N147032561 U2_N14683769 d_D1
V_U2_V6 U2_N147032561 0 80m
X_U2_S2 U2_N14683147 0 U2_N14683887 U2_N14683769 TON_TOFF_U2_S2
G_U2_ABM2I1 U2_N14683173 U2_N14683769值｛if (V (N18203660)> 0.5、
+ 22.8m、0)｝
X_U2_U44 N18203660 GATE _HD U2_N14683147和2_BASE_GEN 参数：VDD=1
+ VSS=0 VTHRESH=500E-3
G_U2_ABM2I2 U2_N14683769 0值｛if (V (N18203660)< 0.5、26.5m、0)
+｝
V_U2_V4 U2_N14683887 0 1Vdc
X_U2_S1 U2_N14683159 0 U2_N14683769 0 TON_TOFF_U2_S1
V_U2_V5 U2_N14683173 0 1Vdc
X_U2_U47 U2_N14683769 U2_N14683173 d_D1
E_ABM5 Hb_TH 0值｛if (V (VHBHS_UVLO)< 0.5、6.6、6.2)｝
E_E6 HB-INT 0 HB HS 1
.ends LM5109B_TRANS
*美元
SUBCKT TON_TOFF_U7_S2 1 2 3 4.
S_U7_S2 3 4 1 2 _U7_S2
RS_U7_S2 1 2 1G
.model _U7_S2 vSwitch 效率=100e6 ron=1m voff=0.2 Von=0.8
.ends TON_TOFF_U7_S2
*美元
SUBCKT TON_TOFF_U7_S1 1 2 3 4.
S_U7_S1 3 4 1 2 _U7_S1
RS_U7_S1 1 2 1G
.model _U7_S1 vSwitch 效率=100e6 ron=1m voff=0.2 Von=0.8
.ends TON_TOFF_U7_S1
*美元
.SUBCKT TON_TOFF_U2_S2 1 2 3 4.
S_U2_S2 3 4 1 2 _U2_S2
RS_U2_S2 1 2 1G
.model _U2_S2 vSwitch 效率=100e6 ron=1m voff=0.2 Von=0.8
.ends_toff_u2_S2
*美元
.SUBCKT TON_TOFF_U2_S1 1 2 3 4.
S_U2_S1 3 4 1 2 _U2_S1
RS_U2_S1 1 2 1G
.model _U2_S1 vSwitch 效率=100e6 ron=1m voff=0.2 Von=0.8
.ends_toff_u2_S1
*美元
.SUBCKT INV_BASICE_GEN A Y 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
E_ABMGATE YINT 0值{{if (V(A)>{VTHRESH}，
+｛VSS｝、｛VDD｝｝｝
RINT YINT 1
CINT Y 0 1n
结束 INV_BASIAL_GEN
*美元
.SUBCKT OR2_BASICE_GEN A B Y 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
E_ABMGATE YINT 0值｛｛if (V (A)>｛VTHRESH｝|
+ V (B)>｛VTHRESH｝、｛VDD｝、｛VSS｝｝｝
RINT YINT 1
CINT Y 0 1n
结束 OR2_basic_GEN
*美元
**重置在此锁定中具有更高的优先级
.SUBCKT SRLATCHRHP_BASIAL_GEN S R Q QB 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
GQ 0 Qint 值=｛if (V (R)>｛VTHRESH｝、-5、if (V (S)>｛VTHRESH｝、5、0)｝
CQint Qint 0 1n
RQint Qint 0 1000MEG
D_D10 Qint MY5 D_D1
V1 MY5 0｛VDD｝
D_D11 MYVSS Qint D_D1
V2 MYVSS 0｛VSS｝
EQ qqq 0 Qint 0 1.
X3 qq Qqqd1 BUF_basic_GEN 参数：VDD=｛VDD｝VSS=｛VSS｝VTHRESH=｛VTHRESH｝
RQq Qqd1 Q 1
EQb QBR 0值=｛if (V (Q)>｛VTHRESH｝、｛VSS｝、｛VDD｝)｝
RQb QBR QB 1.
Cdummy1 Q 0 1n
Cdummy2 QB 0 1n
IC V (Qint)｛VSS｝
.MODEL D_D1 D (Is=1e-15 TT=10p Rs=0.05 N=0.1)
.ends SRLATCHRHP_BASIAL_GEN
*美元
SUBCKT D_D1 1 2.
D1 1 2 DD1
.MODEL DD1 D (I=1e-15 TT=10p Rs=0.001 N=0.1)
结束 D_D1
*美元
.SUBCKT BUF_BASICE_GEN A Y 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
E_ABMGATE YINT 0值{{if (V(A)>{VTHRESH}，
+｛VDD｝、｛VSS｝｝｝
RINT YINT 1
CINT Y 0 1n
.ends BUF_basic_GEN
*美元
.SUBCKT COMP_BASE_GEN INP INM Y 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
E_ABM Yint 0值｛if (V (INP)>
+ V (INM)、｛VDD｝、｛VSS｝)｝
R1 Yint Y 1.
C1 Y 0 1n
结束 COMP_BASE_GEN
*美元
SUBCKT NAND2_BASE_GEN A B Y 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
E_ABMGATE YINT 0值｛｛if (V (A)>｛VTHRESH｝&
+ V (B)>｛VTHRESH｝、｛VSS｝、｛VDD｝｝｝
RINT YINT 1
CINT Y 0 1n
结束 NAND2_BASE_GEN
*美元
.MOS01 NMOS 模型(VTO = 2 KP = 0.22 λ= 0.001)
*美元
.MOS01 PMOS 模型(VTO =-2 KP = 0.22 lambda = 0.001)
*美元
.SUBCKT 和2_basic_GEN A B Y 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
E_ABMGATE YINT 0值｛｛if (V (A)>｛VTHRESH｝&
+ V (B)>｛VTHRESH｝、｛VDD｝、｛VSS｝｝｝
RINT YINT 1
CINT Y 0 1n
.ends 和2_basic_GEN
*美元
.SUBCKT COMPHYS_BASE_GEN INP INM HYS OUT 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
EIN INP1 INM1 INP INM 1.
EHYS INP1 INP2值｛if (V (1)>｛VTHRESH｝、-V (HYS)、0)｝
EOUT OUT OUT 0值{ if (V (INP2)>V (INM1)、{VDD}、{VSS})}
R1 out 1
C1 1 0 5n
RINP1 INP1 0 1K
结束 COMPHYS_BASE_GEN
*美元
SUBCKT POWERMOS G D S 参数：Rdson = 16m Ciss = 1375p CRSS = 70p Coss = 340p VSP = 3.5 Rg=1
*这是功率 MOSFET 的简单模型。
*建模的参数是
*- Rdson、
*-输入电容、
*-反向电容、
*-输出电容、
*-开关点电压(FET 开始开关的栅极电压)、
*-栅极电阻
C_C1 S Da｛Coss｝IC=0
R_R1 Da D 10.
C_C2 GA D｛Crss｝IC=0
R_R2 G GA｛RG｝
C_C3 GA S｛Ciss｝IC=0
D_D1 S dB 断点
R_R3 dB D 1m
S_switchM D S GA S _switchM
RS_SWITCHM GA S 100M
.model _switchM vSwitch 效率=100e6 Ron={RDSON} voff=1.1 Von={VSP}
.model Dbreak D is = 1e-14 CJO=.1pF Rs=.1
结束 POWERMOS
*美元
SUBCKT NOR2_BASE_GEN A B Y 参数：VDD=1 VSS=0 VTHRESH=0.5
E_ABMGATE YINT 0值｛｛if (V (A)>｛VTHRESH｝|
+ V (B)>｛VTHRESH｝、｛VSS｝、｛VDD｝｝｝
RINT YINT 1
CINT Y 0 1n
结束 NOR2_BASE_GEN
*美元

仿真中的 U1和 U2都是 LM5109B

尊敬的 John：

此模型专为 PSPICE 而设计。 请使用 PSPICE 或 PSPICE-FOR-TI 来仿真您的系统、并在错误仍然存在时进行更新。

谢谢、

Daniel W